[实用新型]一种自偏置误差放大电路有效
申请号: | 201320028021.5 | 申请日: | 2013-01-17 |
公开(公告)号: | CN203027209U | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 王文建 | 申请(专利权)人: | 浙江商业职业技术学院 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 偏置 误差 放大 电路 | ||
1.自偏置误差放大电路,其特征在于包括偏置电路、差分运算放大电路、输出驱动电路和相位补偿电路:
所述偏置电路是提供整个电路的偏置电流;
所述运算放大电路是对输入信号进行放大;
所述输出驱动电路是对所述运算放大电路放大的信号进行输出驱动;
所述相位补偿电路是对整个电路进行相位补偿。
2.如权利要求1所述的自偏置误差放大电路,其特征在于所述偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NPN管和第二NPN管:
所述第一电阻的一端接电源,另一端接所述第二电阻和所述第二NPN管的基极;
所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第二NPN管的基极,另一端接所述第一NPN管的基极和集电极;
所述第三电阻的一端接所述第二NPN管的集电极,另一端接地;
所述第一NPN管的基极接所述第一电阻的一端,发射极接地,集电极接所述第一电阻的一端;
所述第二NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端,发射极接所述第三电阻的一端,集电极接所述差分运算放大电路。
3.如权利要求1所述的自偏置误差放大电路,其特征在于所述差分运算放大电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一PNP管、第二PNP管、第三PNP管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管:
所述第一PMOS管的栅极接所述第二NPN管的集电极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极,源极接电源,漏极接所述第二NPN管的集电极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极;
所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极,源极接电源,漏极接所述第一PNP管的发射极;
所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极,源极接电源,漏极接所述第二PNP管的发射极和所述第三PNP管的发射极;
所述第一PNP管的基极接所述第一NMOS管的漏极和栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极,发射极接所述第二PMOS管的漏极,集电极接地;
所述第二PNP管的基极接负端和所述第二NMOS管的漏极,发射极接所述第三PNP管的发射极和所述第三PMOS管的漏极,集电极接所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极;
所述第三PNP管的基极接正端和所述第五NMOS管的漏极,发射极接所述第二PNP管的发射极和所述第三PMOS管的漏极,集电极接所述第四NMOS管的漏极和所述输出驱动电路;
所述第一NMOS管的栅极和漏极第二NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第一PNP管的基极,源极接地;
所述第二NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和所述第一PNP管的基极,漏极接所述第二PNP管的基极和负端,源极接地;
所述第三NMOS管的栅极和漏极接所述第四NMOS管的栅极和所述第二PNP管的集电极,源极接地;
所述第四NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第二PNP管的集电极,漏极接所述第三PNP管的集电极和所述输出驱动电路,源极接地;
所述第五NMOS管的栅极接所述第一PNP管的基极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,漏极接第三PNP管的基极接正端。
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