[发明专利]一种轻质莫来石-碳化硅耐火材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310471567.2 申请日: 2013-10-11
公开(公告)号: CN103553650A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 鄢文;陈俊峰;李楠;魏耀武;韩兵强;柯昌明 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 *** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 轻质莫来石 碳化硅 耐火材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于轻质耐火材料技术领域。尤其涉及一种轻质莫来石-碳化硅耐火材料及其制备方法。

背景技术

轻质耐火材料作为高温窑炉的保温内衬,对高温工业的节能降耗有着至关重要的影响。随着对节能减排要求日趋严格,发展微孔化、强度高、抗介质侵蚀能力强且导热系数低的高效隔热耐火材料已成为轻质耐火材料研究的一个重要方向。

莫来石有着低的热膨胀系数、好的热震稳定性、优异的机械性能和优良的化学稳定性,以莫来石为主要材质的轻质耐火材料的研究已有一定进展。如“一种含轻质多孔骨料的铝硅质耐火砖及其制备方法”(CN200710052470.2)专利技术,采用Al2O3-SiO2系的轻质骨料制得了铝硅质轻质耐火砖,由于其轻质骨料是采用“一种多孔莫来石陶瓷材料及其制备方法”(CN200610019552.2)专利技术生产的,尽管其孔径是微米级,但孔结构是开口气孔,抗介质渗透能力差。又如“中密度莫来石碳化硅浇注料”(CN201310030944.9)专利技术,以具有闭口气孔的刚玉空心球、氧化铝空心球为轻质骨料,并引入碳化硅颗粒和细粉,制备了中密度莫来石碳化硅浇注料,尽管提高了强度和耐磨性能,但空心球的孔径较大,一旦表面损毁,大气孔将严重降低轻质耐火材料的抗介质渗透能力。

发明内容

本发明旨在克服现有技术缺陷,目的是提供一种制备工艺简单的轻质莫来石-碳化硅耐火材料的制备方法,用该方法制备的轻质莫来石-碳化硅耐火材料物相组成和形貌可控、显气孔率和气孔尺寸可控、热震稳定性优异、抗介质侵蚀能力强、强度高和导热率低。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:以40~60wt%的多孔莫来石-碳化硅颗粒、10~20%的莫来石细粉、1~5wt%的碳化硅细粉、18~24wt%的氢氧化铝细粉、4.2~5.4wt%的硅石细粉、0.3~0.9wt%的二氧化硅微粉、0.3~3.6wt%的硅粉、0.2~1.5wt%的碳粉、0.1~0.9wt%的碳酸镁细粉和0.1~0.5wt%的铝粉为原料,外加所述原料4~6wt%的结合剂,搅拌均匀,机压成型,成型后的坯体在110~210℃条件下保温12~36小时;然后在还原气氛下升温至1200~1250℃,保温1~2小时,再在还原气氛下将温度由1200~1250℃升温至1400~1500℃,保温3~8小时,即得轻质莫来石-碳化硅耐火材料。

所述多孔莫来石-碳化硅颗粒的制备方法是:以60~80wt%的氢氧化铝细粉、14~18%的硅石细粉、1~3wt%的二氧化硅微粉、1~12wt%的硅粉、0.8~5wt%的碳粉和0.2~3wt%的碳酸镁细粉为原料,外加所述原料4~6wt%的硅溶胶,搅拌均匀,机压成型,成型后的坯体在110℃条件下保温12~36小时;然后在还原气氛下升温至1200~1250℃,保温1~3小时,再在还原气氛下将温度由1200~1250℃升温至1400~1500℃,保温3~8小时,即得多孔莫来石-碳化硅复合陶瓷材料;再将多孔莫来石-碳化硅复合陶瓷材料破碎,筛分,选取粒径小于5mm的颗粒为多孔莫来石-碳化硅颗粒。

上述技术方案中,除多孔莫来石-碳化硅颗粒外的其余原料的成分和粒径是:

莫来石细粉的Al2O3含量为60~76wt%,粒径小于88μm;

碳化硅细粉的SiC含量大于96wt%,粒径小于74μm;

氢氧化铝细粉的Al(OH)3含量大于98wt%,粒径小于88μm; 

硅石细粉的SiO2含量大于96wt%,粒径小于74mm;

二氧化硅微粉的SiO2含量大于93wt%,粒径小于4μm;

硅粉的Si含量大于90wt%,粒径为3~100μm;

碳粉的C含量大于90wt%,粒径小于88μm;

碳酸镁细粉的MgCO3含量大于97wt%,粒径小于88μm;

铝粉的Al含量大于90wt%,粒径为30~100μm。

所述结合剂为硅溶胶和液态酚醛树脂中的一种或两种;其中,硅溶胶的浓度为20~40wt%,液态酚醛树脂的残碳率大于40%。

所述机压成型的压力为50~150MPa。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学,未经武汉科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310471567.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top