[发明专利]发光显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201310418200.4 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN103887321A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 朱星中;车裕敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光显示装置及其制造方法。
背景技术
典型地,平板显示装置可分为光发射型和光接收型。光发射型显示装置可以是扁平阴极射线管、等离子体显示面板、电致发光装置或发光二极管。光接收型显示装置可以是液晶显示器。其中,电致发光装置具有宽视角、出众的对比度和高响应速度的优点,从而被视为下一代显示装置。依据形成发光层的材料,这种电致发光装置分为无机发光装置和有机发光装置。
有机发光装置具有由在阳极和阴极之间配置的有机材料制成的发光层。如果阳极电压和阴极电压分别施加到这些电极上,从阳极注入的空穴穿过空穴注入层和空穴传输层移动到发光层,而电子穿过电子注入层和电子传输层移动到发光层。在发光层内,电子和空穴复合。通过这种复合,产生激子,且由于激子从激发状态转化为基态,发光层发光得以显示图像。
这样的有机发光装置包括具有暴露阳极的开口的像素限定膜,并且发光层形成在通过像素限定膜的开口而暴露的阳极上。
另一方面,发光层可借由喷墨印刷技术在通过像素限定膜开口暴露的阳极上印刷发光材料形成。
然而,由于阳极和像素限定膜之间材料的差异,在像素限定膜开口内的阳极相对于发光材料的润湿与像素限定膜的润湿是不同的。因此,发光层会以不均匀的厚度形成在像素限定膜开口内的阳极区域和像素限定膜区域。
进一步地,当发光材料借由喷墨印刷技术印刷在通过像素限定膜的开口暴露的阳极上时,发光材料可逃脱像素限定膜的开口。
因此,在借由喷墨印刷技术在通过像素限定膜的开口暴露的阳极上印刷发光材料的情况下,难以以均匀厚度在像素限定膜的开口内部形成发光层,并在开口内部精确定位发光层。
发明内容
因此,本发明要解决的一个问题是提供一种发光显示装置,所述发光显示装置通过在期望空间内以均匀厚度精确定位发光层能够实现均匀发光。
本发明要解决的另一个问题是提供一种用于制造发光显示装置的方法,所述发光显示装置通过在期望空间内以均匀厚度精确定位发光层能够实现均匀发光。
本发明的另外的优点、主题和特征的一部分将在下面的描述中说明,其他部分对于本领域的技术人员将经下面的检验或从本发明的实践中学习。
根据本发明的一个方面,提供了一种发光显示装置,包括:基板;第一电极,布置在基板上;第一绝缘薄膜,布置在基板上且包括暴露第一电极的一部分的第一开口;第二绝缘薄膜,布置在第一绝缘薄膜上且包括暴露第一开口的第二开口;发光层,包括发光材料,发光层布置在第一电极被第一开口暴露的部分上,且还与第一绝缘薄膜接触;及第二电极,布置在发光层上,其中第一电极相对于发光材料的润湿和第一绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异可低于第一电极相对于发光材料的润湿和第二绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异。
第一绝缘薄膜相对于发光材料的润湿可基本上与第一电极相对于发光材料的润湿相同。第一电极和第一绝缘薄膜相对于发光材料的接触角可等于或低于10°,且第二绝缘薄膜相对于发光材料的接触角可等于或高于50°。第一电极可包括ITO(氧化铟锡),且第一绝缘薄膜可包括二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。第一绝缘薄膜可包括选自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的材料,且第二绝缘薄膜可包括选自由双对氯甲基苯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和酚醛树脂组成的组中的材料。发光层可包括包含Se的无机材料、包含Zn的无机材料、低分子有机材料和高分子有机材料中的一种或多种材料。第二绝缘薄膜可包括感光材料。
基板可包括多个像素,且第一绝缘薄膜可以是限定多个像素中每个像素的像素限定膜。多个像素可包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域,发光层可包括:红色有机发光层,布置在红色像素区域内;绿色有机发光层,布置在绿色像素区域内;及蓝色有机发光层,布置在蓝色像素区域内。发光层可包括白色有机层。白色有机层可包括红色有机层、绿色有机层和蓝色有机层。白色有机层可替代包括黄色有机层和蓝色有机层。
根据本发明的另一个方面,提供了一种制造发光显示装置的方法,包括:在基板上形成第一电极;在基板上形成第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜,第一绝缘薄膜可具有暴露第一电极的一部分的第一开口且第二绝缘薄膜可具有对应于第一开口的第二开口;在第一电极的暴露部分形成发光层,发光层包括发光材料且接触第一绝缘薄膜;及在发光层上形成第二电极,第一电极相对于发光材料的润湿和第一绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异可低于第一电极相对于发光材料的润湿和第二绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的