[发明专利]发光显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201310418200.4 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN103887321A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 朱星中;车裕敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光显示装置,包括:
基板;
第一电极,布置在所述基板上;
第一绝缘薄膜,布置在所述基板上且包括暴露所述第一电极的一部分的第一开口;
第二绝缘薄膜,布置在所述第一绝缘薄膜上且包括暴露所述第一开口的第二开口;
发光层,包括发光材料,所述发光层布置在所述第一电极被所述第一开口暴露的部分上,且还与所述第一绝缘薄膜接触;及
第二电极,布置在所述发光层上,其中所述第一电极相对于所述发光材料的润湿和所述第一绝缘薄膜相对于所述发光材料的润湿之间的差异低于所述第一电极相对于所述发光材料的润湿和所述第二绝缘薄膜相对于所述发光材料的润湿之间的差异。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述第一绝缘薄膜相对于所述发光材料的润湿与所述第一电极相对于所述发光材料的润湿相同。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述第一电极和所述第一绝缘薄膜相对于所述发光材料的接触角等于或低于10°,且所述第二绝缘薄膜相对于所述发光材料的接触角等于或高于50°。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述第一电极包括ITO,且所述第一绝缘薄膜包括选自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的材料。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述第一绝缘薄膜包括选自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的材料,且所述第二绝缘薄膜包括选自由双对氯甲基苯、聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂和酚醛树脂组成的组中的材料。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述发光层包括选自由包含Se的无机材料、包含Zn的无机材料、低分子有机材料和高分子有机材料组成的组中的材料。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述第二绝缘薄膜包括感光材料。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中所述基板包括多个像素,且所述第一绝缘薄膜是限定多个像素中每个像素的像素限定膜。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置,其中多个像素包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域,所述发光层包括:
红色有机发光层,布置在所述红色像素区域内;
绿色有机发光层,布置在所述绿色像素区域内;及
蓝色有机发光层,布置在所述蓝色像素区域内。
10.根据权利要求8所述的发光显示装置,其中所述发光层包括白色有机层。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中所述白色有机层包括红色有机层、绿色有机层和蓝色有机层。
12.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中所述白色有机层包括黄色有机层和蓝色有机层。
13.一种制造发光显示装置的方法,包括:
在基板上形成第一电极;
在所述基板上形成第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜,所述第一绝缘薄膜具有暴露所述第一电极的一部分的第一开口且所述第二绝缘薄膜具有对应于所述第一开口的第二开口;
在所述第一电极的暴露部分形成发光层,所述发光层包括发光材料且接触所述第一绝缘薄膜;及
在所述发光层上形成第二电极,其中所述第一电极相对于所述发光材料的润湿和所述第一绝缘薄膜相对于所述发光材料的润湿差异低于所述第一电极相对于所述发光材料的润湿和所述第二绝缘薄膜相对于所述发光材料的润湿之间的差异。
14.根据权利要求13所述的方法,其中形成所述第一绝缘薄膜和所述第二绝缘薄膜包括:
在所述基板的整个表面上沉积第一绝缘材料以覆盖所述第一电极;
在所述第一绝缘材料的整个表面上沉积第二绝缘材料;
在所述第二绝缘材料的上部分上布置掩膜,所述掩膜具有对应所述第一电极的一部分的开口;
用光曝光第二绝缘材料;
通过使用显影剂显影所述第二绝缘材料形成具有所述第二开口的所述第二绝缘薄膜;及
通过使用所述第二绝缘薄膜作为蚀刻掩膜蚀刻所述第一绝缘材料形成具有所述第一开口的所述第一绝缘薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的