[发明专利]能够收容工件的网结构体

权利要求书

1.一种网结构体，其具备：

划出用于收容工件的收容空间的网基体、及

形成在所述网基体的表面的至少一部分上的、具有比所述网基体更高的疏水性的涂层薄膜。

2.根据权利要求1所述的网结构体，其在所述网基体的表面上还具备通过干式工艺形成的底涂剂薄膜，

所述涂层薄膜形成在所述底涂剂薄膜的表面上。

3.根据权利要求2所述的网结构体，其中，所述底涂剂薄膜含有选自Si、Ti、Al及Zr以及它们的氧化物中的至少一种物质。

4.根据权利要求3所述的网结构体，其中，所述底涂剂薄膜含有氧和/或氮。

5.根据权利要求2所述的网结构体，其中，所述底涂剂薄膜为含有选自O、N及Si中的至少一种物质的无定形碳膜。

6.根据权利要求2所述的网结构体，其中，所述底涂剂薄膜具有比所述基体更高的亲水性。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的网结构体，其中，所述网基体以实质上包含矩形平面状的6个网板的长方体形状构成，

所述涂层薄膜形成在该六个网板中的至少一个的表面上。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的网结构体，所述网基体以圆筒形状构成，

所述涂层薄膜形成在所述圆筒形状的网基体的顶面、底面或侧面中的至少一个面上。

9.根据权利要求2～6中任一项所述的网结构体，其中，所述干式工艺为选自溅射法、等离子体CVD法、CVD法、真空蒸镀法、MBE法、团簇离子束法及高频离子镀敷法中的任一种工艺。

10.根据权利要求2～6或9中任一项所述的网结构体，其中，所述涂层薄膜形成在所述底涂剂薄膜的表面上，且其以能够与所述底涂剂薄膜形成氢键和/或基于缩合反应的-O-M键的含氟偶联剂为主要成分，在此，M为选自Si、Ti、Al及Zr中的任一元素。

11.根据权利要求2～6或9中任一项所述的网结构体，其中，所述涂层薄膜形成在所述底涂剂薄膜的表面上，且其以能够与所述底涂剂薄膜形成氢键和/或基于缩合反应的-O-M键的含氟硅烷偶联剂为主要成分，在此，M是选自Si、Ti、Al及Zr中的任一元素。

12.根据权利要求2～6或9中任一项所述的网结构体，其中，所述涂层薄膜具备：

以能够与所述底涂剂薄膜形成氢键和/或基于缩合反应的-O-M键的偶联剂为主要成分，且形成在所述底涂剂薄膜的表面上的第一层，在此，M是选自Si、Ti、Al及Zr中的任一元素；及

以疏水材料为主要成分、且形成在所述第一层的表面上的第二层。

13.根据权利要求12所述的网结构体，其中，所述偶联剂由选自硅烷偶联剂、钛酸酯系偶联剂、铝酸酯系偶联剂及锆酸酯系偶联剂中的任一种偶联剂构成。

14.一种网结构体，其具备划出用于收容工件的收容空间的网基体，

该网基体的表面的至少一部分由疏水性材料形成。

15.根据权利要求14所述的网结构体，其中，所述疏水性材料包含氟树脂。

16.根据权利要求14所述的网结构体，其中，所述疏水性材料包含硅酮树脂。