[发明专利]增强存储阵列位线缺陷漏电的方法

权利要求书

1.一种增强存储阵列位线缺陷漏电的方法，其特征在于，包括：

对存储阵列进行编程或擦除，形成棋盘格测试图形；所述形成棋盘格测试图形指所述存储阵列中形成的高阈值电压存储单元和低阈值电压存储单元依次间隔排列形成的所述高阈值电压存储单元和所述低阈值电压存储单元分布；

在存储阵列相邻位线之间和相邻字线之间形成高电平和低电平，其中，所述高电平的电压值处于所述高阈值电压存储单元中形成的高阈值电压和所述低阈值电压存储单元中形成的低阈值电压之间；

持续一定时间所述在存储阵列相邻位线之间和相邻字线之间形成高电平和低电平，根据所述相邻位线之间形成的高低平和低电平的电压差增强所述存储阵列位线之间潜在缺陷的漏电；

其中，在所述存储阵列相邻位线之间和相邻字线之间形成高电平和低电平包括：对存储阵列中奇数行字线施加低电平和偶数行字线施加高电平；对所述存储阵列中奇数列位线施加高电平，其中偶数列位线在位线上导通存储单元作用下处于低电平；或者，对存储阵列中奇数行字线施加高电平和偶数行字线施加低电平；对所述存储阵列中偶数列位线施加高电平，其中奇数列位线在位线上导通存储单元作用下处于低电平。

2.如权利要求1所述的增强存储阵列位线缺陷漏电的方法，其特征在于，所述高电平为4V。

3.如权利要求1所述的增强存储阵列位线缺陷漏电的方法，其特征在于，所述持续一定时间为1秒—3秒。

4.如权利要求3所述的增强存储阵列位线缺陷漏电的方法，其特征在于，所述持续一定时间为2秒。

5.如权利要求1所述的增强存储阵列位线缺陷漏电的方法，其特征在于，所述存储阵列为NOR型闪存存储阵列。

6.如权利要求5所述的增强存储阵列位线缺陷漏电的方法，其特征在于，所述对存储阵列进行编程采用热电子注入方式。