[发明专利]一种含钴碳化硅纤维的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310374328.5 申请日: 2013-08-23
公开(公告)号: CN103409851A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 刘安华;陈剑铭;姚艳波;刘玲;丁绍楠 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: D01F9/10 分类号: D01F9/10;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 马应森;戴深峻
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 纤维 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及陶瓷纤维,尤其是涉及一种含钴碳化硅纤维的制备方法。

背景技术

碳化硅(SiC)纤维是一种具有高比强度、高比模量、抗氧化、耐高温、耐化学腐蚀的陶瓷纤维,应用领域广泛,可用作高耐热、耐氧化材料以及金属基、聚合物基和陶瓷基复合材料的高性能增强纤维。由SiC纤维增强制备的高性能陶瓷基复合材料(CMC),可应用在航天飞机、高性能发动机等尖端领域。先驱体转化法是制备碳化硅纤维的主要方法,由日本东北大学Yajima等(1.Yajima S.Development of a silicon carbide fiber of high tensile strength[J].Nature,1976,261(5562):683-685)于1976年首创。据文献报道,由聚碳硅烷先驱体制备的碳化硅陶瓷存在Si-C-O相,当工作温度高于1200℃时,Si-C-O相分解和碳化硅晶粒长大,会产生大量孔洞造成力学性能急剧下降,从而影响其耐高温性能(2.Cao F,Li X D,Peng P,et al.Structural evolution and associated properties on conversion from Si-C-O-Al ceramic fibers to Si-C-Al fibers by sintering[J].J Mater Chem,2002,12(3),606-610;3.Hasegawa Yoshio.Factors affecting the thermal stability of continuous SiC fibres[J].Compo Sci Technol1990,37(1-3):37-54)。然而,当引入异质元素,如B、Al、Zr、Ti等,会有效抑制析晶过程,它们还可以充当烧结助剂,促进纤维陶瓷化过程致密化,提高纤维耐高温性能。因此,自美国的Dow Corning公司以及日本的宇部兴产公司分别推出高温性能更加优异的Sylramic和Tyranno系列掺杂碳化硅纤维之后,越来越多的人将注意力转移到功能型碳化硅纤维的掺杂改性研究。其中,在碳化硅纤维中掺杂引入Fe、Co、Ni等磁性过渡金属,赋予碳化硅纤维新型的铁磁吸波性能是一个极具潜力的发展方向。因此,制备功能型含钴碳化硅纤维符合当前碳化硅纤维发展的主流趋势。

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