[发明专利]包括切割载体的制造组件的方法在审
申请号: | 201310371451.1 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN103633023A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | T.贝伦斯;J.马勒;I.尼基廷 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;刘春元 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 切割 载体 制造 组件 方法 | ||
技术领域
本发明一般地涉及组件制作,且更特别地涉及一种切割载体的方法。
背景技术
芯片由包括晶圆切割步骤的多个处理步骤制造。制造和切割工艺可能造成或引起切单片的芯片中的碎裂(chipping)或管芯裂纹。
发明内容
根据本发明的实施例,一种用于制造组件的方法包括:将载体切块为多个组件,而载体部署在支撑载体上;在切块之后,将连接层放置在载体上;以及从支撑载体去除组件。
根据本发明的实施例,一种制造半导体器件的方法包括:放置晶圆,使得晶圆的正面在切块箔材上;将晶圆分离为芯片,而芯片以间隔分离;将焊接胶、粘合导电胶或纳米胶放置在晶圆上。所述方法进一步包括:拉伸切块箔材;以及从切块箔材拾取芯片。
根据本发明的实施例,一种制造芯片的方法包括:将晶圆放置在切块箔材上,其中,晶圆包括正面和背面,并且其中放置晶圆,使得正面在切块箔材上;以及将晶圆切块,从而形成间隙和芯片。所述方法进一步包括:在晶圆上形成光刻胶;使光刻胶图案化,使得光刻胶保留在间隙上;以及在晶圆上形成焊接层。所述方法最后包括:去除剩余的光刻胶;以及从切块箔材拾取半导体器件。
根据本发明的实施例,一种制造封装组件的方法包括:将晶圆放置在切块箔材上;将晶圆分离为组件,所述组件以间隔分离;以及在分离之后,将电接触层放置在晶圆上。所述方法进一步包括:从切块箔材拾取组件;将组件放置在组件载体上;将组件的第一接触焊盘接合到第一组件载体接触焊盘;以及灌封组件。
附图说明
为了更完全的理解本发明及其优点,现在参照连同附图一起采用的下面的描述,在其中:
图1示出了用于制造封装组件的方法的实施例的流程图;
图2a-2c示出了制造工艺中数个阶段的实施例;
图3示出了用于制造封装组件的方法的实施例的流程图;并且
图4a-4c示出了制造工艺中数个阶段的实施例。
具体实施方式
在下面详细地讨论当前优选实施例的进行和使用。然而,应该领会的是,本发明提供了可以体现在各种各样的具体上下文中的许多可应用的发明概念。讨论的具体实施例仅仅是说明进行和使用本发明的具体方法的,但不限制本发明的范围。
将参照具体上下文(即制造半导体芯片的方法)中的实施例来描述本发明。然而,本发明的实施例还可以适用于制造组件的其它方法。
锯切具有约100μm或者更小的衬底厚度的晶圆以及部署在其上的焊接材料的问题是:锯切工艺可以导致焊接材料和/或芯片衬底的裂纹和崩落(break out)。
本发明的实施例包括在将载体切块之后在载体上形成连接层。连接层可以是导电层或绝缘层。例如,连接层可以是组件附接胶或焊接层。在一个实施例中,在切块载体上对组件附接胶进行预先固化。
本发明的实施例包括使光刻胶在切块载体上图案化使得组件之间的间隔被覆盖、以及在切块载体上形成金属层。
这些实施例的优点是:当切割时,晶圆/芯片与部署在其上的连接层不开裂。又一优点是:当切割时,连接层的材料不流动或不移动到晶圆/芯片的其它部分。
图1示出了用于制造电组件100的方法的实施例。在第一步骤102中,载体被切块为多个组件。通过使用诸如切块锯或切块激光器之类的切割仪器,载体被切块为多个组件。在切块之前,载体放置在诸如切块箔材之类的支撑载体上。图2a示出了部署在支撑载体210上的切块载体220的实施例。切块载体220包括多个组件225。载体220胶合到支撑载体210上,并且由切块锯或切块激光器引起的切割线可能在支撑载体210中部分地切割(未示出)。
切块载体220包括第一主表面或顶表面226以及第二主表面或底表面227。顶表面226可以是载体220的背面,而底表面可以是载体220的正面。在一个实施例中,第二主表面227是主要部署有源区域的表面,而第一主表面226是没有有源区域或主要是没有有源区域的表面。导电层可以部署在切块载体220的顶表面226上。例如,导电层可以是粘合层、阻挡层、种子层或下金属化层(under-metallization layer)。导电层可以是包括多个导电层和/或导电层组合的层堆叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造