[发明专利]增益和摆率增强型放大器有效

专利信息
申请号: 201310365736.4 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN103457553A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 黄晓宗;石建刚;刘伦才;王健安;黄文刚 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F1/42
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 增益 增强 放大器
【权利要求书】:

1.一种增益和摆率增强型放大器,其特征在于它包括:

一个差分输入级单元,包括PMOS管M0、PMOS管M1a、PMOS管M1b、PMOS管M2a、PMOS管M2b、PMOS管M9~M12和晶体管MA1、晶体管MA2,将输入差分信号VN和VP进行对称的差分放大;和

一个双端转单端单元,包括NMOS管M3~M6、PMOS管M7、PMOS管M8、晶体管MB1、晶体管MB2,形成带有源极负反馈电阻的电流镜,通过电流镜像将双端信号VO1和VO2转换为单端信号VO,作为增益和摆率增强型放大器的输出。

2.根据权利要求1所述的增益和摆率增强型放大器,其特征在于,所述差分输入级单元,包括PMOS管M0、PMOS管M1a、PMOS管M1b、PMOS管M2a、PMOS管M2b、PMOS管M9~M12和晶体管MA1、晶体管MA2,将输入差分信号VN和VP进行对称的差分放大。其中,PMOS管M0的源极与VDD相接,M0的漏极与PMOS管M1a、M1b与M2a、M2b的源极相接,M0的栅极连接偏置电压VBP,构成尾电流源,M1a与M1b的栅极相接,M2a和M2b的栅极相接,M1b的漏极与M11的漏极相接,M11的漏极和栅极相接,M11和M12的栅极相接,MA2的漏极与M11的源极相接,M2b的漏极与M9的漏极相接,M9的漏极和栅极相接,M9和M10的栅极相接,MA1的漏极与M9的源极相接。

3.根据权利要求1所述的增益和摆率增强型放大器,其特征在于,所述双端转单端单元,包括NMOS管M3~M6、PMOS管M7、PMOS管M8、晶体管MB1、晶体管MB2,形成带有源极负反馈电阻的电流镜,通过电流镜像将双端信号VO1和VO2转换为单端信号VO,作为放大器的输出。其中,M3的栅极和漏极相接,M3和M5的栅极相接,MB1的漏极与M3的源极相接,M4的栅极和漏极相接,晶体管M4和M6的栅极相接,MB2的漏极与M4的源极接接,M7的栅极和漏极相接,M7与M8的栅极相接。

4.根据权利要求1所述的增益和摆率增强型放大器,其特征在于,所述晶体管MA1、MA2、MB1、MB2均起电流控制可变电阻的作用,MA1、MA2、MB1、MB2的等效电阻随着电流的增大而增大。

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