[发明专利]一种芯片测试方法和装置有效
申请号: | 201310320070.0 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN104345265B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 薛子恒;潘荣华 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 芯片测试 扫描测试模式 扫描模式信号 方法和装置 扫描 复用芯片 工作管 面积和 测试芯片 工作模式 扫描模式 扫描指令 芯片管脚 管脚 测试 | ||
1.一种芯片测试方法,其特征在于,包括:
通过芯片的原有输入引脚接收到扫描指令后在所述芯片内部产生扫描模式信号;所述扫描模式信号令所述芯片处于扫描测试模式或工作模式;
当所述芯片处于所述扫描测试模式时,利用所述扫描模式信号并复用所述芯片的多个原有工作管脚产生对应的扫描所需信号;所述扫描所需信号包括扫描使能信号、扫描复位信号、扫描串行输入数据信号、扫描串行时钟信号和扫描串行输出数据信号;
利用所述扫描所需信号进行芯片测试操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述扫描模式信号令所述芯片处于扫描测试模式或工作模式,包括:
当所述扫描测试模式信号为高电平时,所述芯片工作在所述扫描测试模式下,或者通过掉电上电操作而产生的低电平的扫描模式信号,将所述扫描测试模式切换到所述工作模式;
当所述扫描测试模式信号为低电平时,所述芯片工作在所述工作模式下,在所述工作模式下,接收到的高电平扫描模式信号,将工作状态切换到所述扫描测试模式。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:
当所述芯片由所述工作模式进入所述扫描测试模式时,利用所述原有工作管脚在所述工作模式下产生的工作信号失效;
当所述芯片由所述扫描测试模式进入所述工作模式时,所述扫描所需信号失效。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述多个原有工作管脚至少包括多个输入管脚和输出管脚;
当所述芯片上设置有时钟管脚时,所述多个原有工作管脚还包括所述时钟管脚。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述当所述芯片处于所述扫描测试模式时,利用所述扫描模式信号并复用所述芯片的多个原有工作管脚产生对应的扫描所需信号,包括:
当所述芯片处于所述扫描测试模式时,接收从所述多个输入管脚输入的多个数据信号,产生多个复用信号;
分别将所述扫描模式信号和所述多个复用信号进行与操作,产生与所述多个输入管脚对应的扫描输入信号;
利用所述扫描输入信号在所述芯片内部得到从所述输出管脚输出的扫描串行输出数据信号;
其中,所述扫描输入信号和所述扫描串行输出数据信号共同组成所述扫描所需信号,所述扫描输入信号包括扫描使能信号、扫描复位信号、扫描串行输入数据信号和扫描串行时钟信号。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用所述扫描所需信号进行芯片测试操作之后,所述方法还包括:
断开所述芯片的电源供应,重新对所述芯片进行上电操作;
对所述芯片进行上电操作之后,所述芯片进入所述工作模式,在所述工作模式下产生的工作信号有效。
7.一种芯片测试装置,其特征在于,包括:
扫描模式信号产生模块,用于通过芯片的原有输入引脚接收到扫描指令后在所述芯片内部产生扫描模式信号;所述扫描模式信号令所述芯片处于扫描测试模式或工作模式;
扫描所需信号产生模块,用于当所述芯片处于所述扫描测试模式时,利用所述扫描模式信号并复用所述芯片的多个原有工作管脚产生对应的扫描所需信号;所述扫描所需信号包括扫描使能信号、扫描复位信号、扫描串行输入数据信号、扫描串行时钟信号和扫描串行输出数据信号;
芯片测试模块,用于利用所述扫描所需信号进行芯片测试操作。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述扫描模式信号令所述芯片处于扫描测试模式或工作模式,包括:
当所述扫描测试模式信号为高电平时,所述芯片工作在所述扫描测试模式下,或者通过掉电,由所述扫描测试模式切换到所述工作模式;
当所述扫描测试模式信号为低电平时,所述芯片工作在所述工作模式下,在所述工作模式下,接收到的高电平扫描模式信号,将工作状态切换到所述扫描测试模式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造