[发明专利]接触插塞及其制造方法

权利要求书

1.一种接触插塞的制造方法，其特征在于，该方法包括：

提供一硅基板，其具有至少一开口；

通过该开口，于该开口底部的该硅基板内形成一掺杂区；

于该开口内顺应性形成一钛层；

于该开口内的该钛层上顺应性形成一第一阻障层；

对该钛层及该第一阻障层实施一快速热处理；以及

在实施该快速热处理之后，于该开口内的该第一阻障层上顺应性形成一第二阻障层，该第二阻障层延伸进入位于该开口底部角落的该第一阻障层内。

2.如权利要求1所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，包括于该第二阻障层上形成一金属层，以填满该开口。

3.如权利要求2所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，该金属层包括钨。

4.如权利要求1所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，该第二阻障层由金属有机化学气相沉积制造方法所形成。

5.如权利要求1所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，该第一阻障层与该第二阻障层为相同材质。

6.如权利要求1所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，该第一阻障层与该第二阻障层为不同材质。

7.如权利要求1所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，该第一阻障层包括氮化钛或氮化钽。

8.如权利要求1所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，该第二阻障层包括氮化钛或氮化钽。

9.如权利要求1所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，该第二阻障层厚度大于该第一阻障层厚度。

10.如权利要求1所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，该快速热处理的温度范围介于500-950℃之间，且该快速热处理的加热时间介于10-50秒之间。

11.如权利要求10所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，该快速热处理的温度为765℃，且该快速热处理的加热时间为30秒。

12.如权利要求1所述的接触插塞的制造方法，其特征在于，该第一阻障层的厚度介于10-150埃之间，且该第二阻障层的厚度介于50-500埃之间。

13.一种接触插塞，其特征在于，包括：

一硅基板，其具有至少一开口及具有一掺杂区位于该开口底部的该硅基板内；

一钛层，顺应性形成于该开口内；

一第一阻障层，顺应性形成于该开口内的该钛层上；以及

一第二阻障层，顺应性形成于该开口内的该第一阻障层上及延伸进入位于该开口底部角落的该第一阻障层内。

14.如权利要求13所述的接触插塞，其特征在于，包括一金属层，形成于该第二阻障层上，以填满该开口。

15.如权利要求14所述的接触插塞，其特征在于，该金属层包括钨。

16.如权利要求13所述的接触插塞，其特征在于，该第一阻障层与该第二阻障层为相同材质。

17.如权利要求13所述的接触插塞，其特征在于，该第一阻障层与该第二阻障层为不同材质。

18.如权利要求13所述的接触插塞，其特征在于，该第一阻障层包括氮化钛或氮化钽。

19.如权利要求13所述的接触插塞，其特征在于，该第二阻障层包括氮化钛或氮化钽。

20.如权利要求13所述的接触插塞，其特征在于，该第二阻障层厚度大于该第一阻障层厚度。

21.如权利要求13所述的接触插塞，其特征在于，该第一阻障层的厚度介于10-150埃之间，且该第二阻障层的厚度介于50-500埃之间。