[发明专利]全背电极太阳电池及其制作方法

权利要求书

1.一种全背电极太阳电池，由n型硅片(21)、n型掺杂层一(22)、n型局域掺杂层二(221)、局域铝掺杂阵列(291)、介电层一(25)、介电层二(24)、细栅金属电极一(27)、细栅铝电极(28)、主栅电极一及主栅电极二组成；n型掺杂层一(22)位于n型硅片受光表面(211)，介电层一(25)覆盖于n型掺杂层一(22)之上，n型局域掺杂层二(221)和局域铝掺杂阵列(291)交替分布于n型硅片背光表面(212)，介电层二(24)覆盖于n型硅片背光表面(212)及n型局域掺杂层二(221)、局域铝掺杂阵列(291)之上；细栅金属电极一(27)位于介电层二(24)之上、与n型局域掺杂层二(221)对应的位置；细栅铝电极(28)位于介电层二(24)之上、与局域铝掺杂阵列(291)对应的位置；细栅金属电极一(27)全部或局部穿透介电层二(24)、与n型局域掺杂层二(221)接触；细栅铝电极(28)位于局域铝掺杂阵列(291)所在位置的介电层二(24)之上；主栅电极一和主栅电极二分别连接所有的细栅金属电极一(27)和细栅铝电极(28)，其特征在于：细栅铝电极(28)局部穿透介电层二(24)，在细栅铝电极(28)穿透介电层二(24)的位置、n型硅片背光表面(212)设有局域铝掺杂层(29)；多个由细栅铝电极(28)间接相连的局域铝掺杂层(29)组成局域铝掺杂阵列(291)。

2.根据权利要求1所述的一种全背电极太阳电池，其特征在于：所述的局域铝掺杂阵列(291)是由点状、线状或短线状的多个由细栅铝电极(28)间接相连的局域铝掺杂层(29)排列组成；细栅铝电极(28)穿透介电层二(24)的部分呈与上述局域铝掺杂层(29)相对应的点状、线状或短线状；上述线状或短线状局域铝掺杂层(29)的宽度小于250微米；上述点状局域铝掺杂层(29)的直径小于500微米。

3.根据权利要求1所述的一种全背电极太阳电池，其特征在于：所述的局域铝掺杂阵列(291)的总面积不超过细栅铝电极(28)面积的50％。

4.根据权利要求1所述的一种全背电极太阳电池，其特征在于：所述的介电层二(24)是带有负束缚电荷的介质薄膜，其负束缚电荷密度大于2×10¹¹cm^-2。

5.根据权利要求1和4所述的一种全背电极太阳电池，其特征在于：所述的介电层二(24)是氧化铝单层膜，或由氧化铝与氮化硅、氧化硅、碳化硅、氧化钛、氮氧化硅中的一种或多种所组成的多层膜。

6.权利要求1所述的一种全背电极太阳电池的制作方法，其特征在于：该制作方法包括以下步骤：

步骤一：去除n型硅片(21)表面的损伤层，在n型硅片受光表面(211)制作绒面；

步骤二：在n型硅片受光表面(211)及背光表面制作n型掺杂层，形成n型掺杂层一(22)；

步骤三：在n型硅片背光表面(212)沉积局域阻挡层；

步骤四：对n型硅片背光表面(212)进行刻蚀，去除n型硅片背光表面(212)上除局域阻挡层覆盖区域以外的n型掺杂层一(22)；保留的n型掺杂层形成n型局域掺杂层二(221)。

步骤五：去除局域阻挡层，并对n型硅片(21)进行清洗；

步骤六：在n型硅片背光表面(212)沉积介电层二(24)，在n型硅片受光表面(211)沉积介电层一(25)；

步骤七：对介电层二(24)进行局部开孔；

步骤八：在n型局域掺杂层二(221)对应的位置沉积细栅金属电极一(27)，在n型硅片背光表面(212)上已除去n型局域掺杂层一的位置沉积细栅铝电极(28)；在与细栅金属电极一(27)交叉的方向上沉积主栅电极一，连接所有细栅金属电极一(27)；在与细栅铝电极(28)交叉的方向上沉积主栅电极二，连接所有细栅铝电极(28)。

步骤九：在峰值温度高于575℃的环境下进行烧结，烧结过程中，透过介电层二(24)上的开孔相互接触的n型硅片(21)和细栅铝电极(28)之间发生铝硅合金反应，在n型硅片受光表面(211)形成与介电层二(24)上的开孔形状相似的局域铝掺杂层(29)。

7.根据权利要求6所述的一种全背电极太阳电池的制作方法，其特征在于：所述的步骤四和步骤五之间，包括一个对n型硅片受光表面(211)进行刻蚀的步骤，使n型硅片受光表面(211)上的n型掺杂一的方块电阻比n型硅片背光表面(212)上的n型局域掺杂层二(221)高。