[发明专利]阵列基板、制备方法以及显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT(Cathode Ray Tube,阴极射线管)显示装置日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD（Liquid Crystal Display：液晶显示装置）、PDP（Plasma Display Panel：等离子显示装置）和OLED（Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管）显示装置。尤其是OLED显示装置，与LCD相比，具有自发光、响应速度快宽视角等诸多优点，可用于柔性显示、透明显示，3D显示等多种应用。

在成像过程中，LCD和有源矩阵驱动式OLED（Active Matrix Organic Light Emission Display，简称AMOLED）显示装置中的每一像素点都由集成在阵列基板中的薄膜晶体管（Thin Film Transistor：简称TFT）来驱动，从而实现图像显示。每个薄膜晶体管可独立控制一个像素点，而不会对其他像素点造成串扰。薄膜晶体管作为发光控制开关，是实现LCD和OLED显示装置显示的关键，直接关系到高性能显示装置的发展方向。

薄膜晶体管主要包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极。目前，有源层通常采用含硅材料或金属氧化物半导体材料形成。

采用金属氧化物半导体材料作为有源层，薄膜晶体管具有较好的开态电流、开关特性，且迁移率高，均匀性好，不需要增加补偿电路，在掩模数量和制作难度上均有优势；金属氧化物半导体材料具有高氧含量时能表现出很好的半导体特性，具有较低氧含量时具有较低的电阻率，因此可作为透明电极使用，足以用于需要快速响应和较大电流的应用，如应用于高频、高分辨率、中大尺寸的LCD以及OLED显示装置中。同时，金属氧化物半导体材料形成有源层的制作工艺简单，采用溅射等方法即可，与现有的LCD产线匹配性好，容易转型，不需增加额外的设备，具有成本优势。

但是，采用金属氧化物半导体材料作为有源层，薄膜晶体管的制备工艺一般需采用六次以上的构图工艺，产能较低。如图1所示，现有技术中采用金属氧化物半导体材料形成有源层的薄膜晶体管的一种典型结构为：在基板1上设置栅极2a，在栅极2a上设置栅绝缘层3，在栅绝缘层3上设置有源层4（即金属氧化物半导体层），在有源层4上设置刻蚀阻挡层5，在刻蚀阻挡层5上设置源极6a和漏极6b，在源极6a和漏极6b上设置钝化层7，在钝化层7上设置像素电极8（即ITO透明电极层）。

相应的，上述结构的薄膜晶体管的制备方法为：在基板1上沉积栅极金属材料，采用第一次构图工艺形成栅极2a；在栅极2a上沉积栅绝缘层3，在栅绝缘层3上沉积有源层4，采用第二次构图工艺形成沟槽区和源极、漏极接触区；在有源层4上沉积刻蚀阻挡层薄膜，采用第三次构图工艺形成刻蚀阻挡层5；在刻蚀阻挡层5上沉积金属材料，采用第四次构图工艺形成源极6a和漏极6b；在源极6a和漏极6b上沉积钝化层薄膜，采用第五次构图工艺形成钝化层7以及钝化层7中的过孔；在钝化层7上沉积ITO透明电极材料，采用第六次构图工艺形成像素电极8，像素电极8通过过孔与漏极6b连接。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板、制备方法以及显示装置，该阵列基板仅需采用四次构图工艺即可制备完成，且栅线与数据线由形成栅极的同层金属层形成，简化了工艺。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的多条栅线和多条数据线，所述栅线与所述数据线交叉设置且将所述基板划分为多个像素区域，所述像素区域内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所述栅线电连接，所述源极与所述数据线电连接，其中，所述栅极、所述栅线与所述数据线同层设置，所述数据线在与所述栅线交叉的区域断开，断开的所述数据线通过与所述数据线不同层的数-数连接线电连接。

优选的是，所述像素区域内还设置有像素电极，所述数-数连接线、所述源极、所述漏极与所述像素电极同层设置，所述数-数连接线设置于对应着所述数据线与所述栅线的断开区域、且与断开的所述数据线连接。

优选的是，所述阵列基板还包括栅绝缘层和有源层，所述栅绝缘层设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间；所述有源层与所述栅极正对设置，且位于所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧；所述源极与所述漏极紧邻所述有源层设置于对应着所述有源层的两端、且与所述栅极在正投影方向上部分重叠。