[发明专利]测试键结构及监测刻蚀工艺中接触孔刻蚀量的方法

权利要求书

1.一种测试键结构，应用于监测接触孔刻蚀量的量测工艺中，其特征在于，所述测试键结构包括第一测试键结构和第二测试键结构；

所述第一测试键结构和所述第二测试键结构中均设置有至少一个接触孔区域；

其中，位于所述第二测试键结构中所有接触孔区域的面积之和大于位于所述第一测试键结构中所有接触孔区域的面积之和。

2.如权利要求1所述的测试键结构，其特征在于，所述至少一个接触孔区域中的每个所述接触孔区域的面积及其形状均相同。

3.如权利要求1所述的测试键结构，其特征在于，设置在所述第一测试键结构中的接触孔区域为第一接触孔区域，设置在所述第二测试键结构中的接触孔区域为第二接触孔区域。

4.如权利要求3所述的测试键结构，其特征在于，所述第一测试键结构中设置有两个所述第一接触孔区域。

5.如权利要求3所述的测试键结构，其特征在于，所述第二测试键结构中设置有至少三个所述第二接触孔区域。

6.如权利要求5所述的测试键结构，其特征在于，所述第二接触孔区域均匀分布于所述第二测试键结构中。

7.一种利用权利要求1～6中任意一项所述的测试键结构监测刻蚀工艺中刻蚀量的方法，其特征在于，包括：

对所述测试键结构进行刻蚀工艺，于每个所述接触孔区域中均形成一接触孔；

继续进行金属填充工艺，以充满每个所述接触孔，形成第一测试键和第二测试键；

分别对所述第一测试键和所述第二测试键进行电阻量测工艺，获取第一电阻值和第二电阻值；

根据所述第一电阻值和所述第二电阻值，判断所述刻蚀工艺的刻蚀量是否满足工艺需求。

8.如权利要求7所述的监测刻蚀工艺中刻蚀量的方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。

9.如权利要求7所述的监测刻蚀工艺中刻蚀量的方法，其特征在于，计算所述第一电阻值和第二电阻值的差值，以判断所述刻蚀工艺中的接触孔刻蚀量是否符合工艺需求。

10.如权利要求9所述的监测刻蚀工艺中刻蚀量的方法，其特征在于，当所述差值小于等于第一电阻值的5%时，所述接触孔刻蚀量符合工艺需求；

当所述差值大于第一电阻值的5%时，所述接触孔刻蚀量大于工艺需求的刻蚀量。