[发明专利]一种磁电阻薄膜的制备及平面霍尔效应提高的方法

权利要求书

1.一种磁电阻薄膜的制备及平面霍尔效应提高的方法，其特征是采用原子百分比，用Ta做保护层；在Ni₈₁Fe₁₉或者NiCo两边表面沉积MgO或者Al₂O₃、SiO₂、ZnO、Pt、Ir、Au；实施方案是，溅射靶材为Ta靶、Ni₈₁Fe₁₉靶、NiCo靶、MgO靶、Al₂O₃靶、SiO₂靶、ZnO靶、 Pt靶、Ir或Au靶，其中Al₂O_3、MgO、SiO₂、ZnO纳米氧化层采用直接溅射氧化物靶材的方法；Ni₈₁Fe₁₉靶、NiCo靶、Pt靶、Ir 靶、Au靶或Ta靶采用磁控溅射方法；化学分析确定最终沉积薄膜成分为81Ni:19Fe，并且控制薄膜杂质含量小于0.1%。

2.如权利要求1所述的一种磁电阻薄膜的制备及平面霍尔效应提高的方法，其特征是样品结构为（1.0～20.0 nm）MgO或者Al₂O₃、SiO₂、ZnO、Pt、Ir、Au/（1.0～200.0nm）Ni₈₁Fe₁₉或者NiCo/（1.0～20.0 nm ）MgO或者Al₂O₃、SiO₂、ZnO、Pt、Ir、Au/（1.0～20.0 nm）Ta；具体制备过程是在磁控溅射仪中进行，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积（1.0～20.0 nm） MgO或者Al₂O₃、SiO₂、ZnO、Pt、Ir、Au，（1.0～200.0 nm）Ni₈₁Fe₁₉或者NiCo，（1.0～20.0 nm ）MgO或者Al₂O₃、SiO₂、ZnO、Pt、Ir、Au和（1.0～20.0 nm）Ta，其中Ta层作为防氧化保护层；溅射室本底真空度为1.0×10^-4～9.9×10^-4 Pa或者1.0×10^-5～9.9×10^-5 Pa，溅射前通入镀膜室99.99%纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～1.5 Pa；溅射时99.99%纯度的高纯氩气气压为0.2 ～2.7 Pa；基片用循环去离子水冷却，平行于基片平面方向加有5～60 kA/m的磁场，以诱发一个易磁化方向，薄膜厚度由溅射时间控制；在真空退火炉中对薄膜进行不同温度、不同时间退火处理，并在磁场中随炉冷却。