[发明专利]离子束照射装置和离子束照射装置的运转方法

说明书

技术领域

本发明涉及向硅晶片或玻璃基板照射离子束从而对所述基板实施离子束照射处理的离子束照射装置的清洗。

背景技术

在离子注入装置、离子掺杂装置和离子束定向装置等离子束照射装置中，如果连续长时间进行从离子源引出离子束的运转，则会在构成离子源的引出电极系统的电极上附着沉积物。如果不处理所述沉积物，则会引起电极间的异常放电。

如果所述的异常放电的发生次数增加，则会导致不能维持装置的正常运转。因此，需要定期地停止装置的运转，并去除成为异常放电原因的沉积物。

作为去除附着在电极上的沉积物的例子，提出了一种将清洗用气体导入电极间、并使所述清洗用气体在电极间产生辉光放电的方法（专利文献1）。

现有技术文献

专利文献1：日本专利公开公报特开2012-38668号（图1、图2、0029段、0040段）

在专利文献1的方法中，虽然可以期待去除沉积物，但是关闭离子源的保养检查作业时所使用的阀来对电极进行清洗。通常，在停止装置的运转后进行离子源的保养检查作业。因此，虽然可以期待清洗效果，但是因为暂时停止装置的通常运转后进行清洗，所以需要设定特别的时间。

与完全不进行清洗而使装置连续运转的情况相比，利用专利文献1中记载的方法对电极进行清洗，能够使装置的运转状态稳定，因此长期而言能够提高装置的运转率。然而，因为存在装置停止运转的时间，所以提高装置运转率存在限度。

发明内容

因此，本发明的主要目的是提供能够比以往的技术显著地提高离子束照射装置的运转率的新的离子束照射装置和离子束照射装置的运转方法。

本发明提供一种离子束照射装置，其包括：盒，用于收纳多个基板；处理室，在该处理室内对所述基板进行离子束照射处理；基板输送部，在所述盒和所述处理室之间进行多次基板更换，所述基板更换是对收纳在所述盒内的未处理的基板与在所述处理室内经过离子束照射处理的处理过的基板进行更换；以及离子束供给部，产生离子束，并向所述处理室内供给所述离子束，与通过所述基板输送部进行的多次基板更换作业中的至少一次基板更换作业并行地，对所述离子束供给部的运转参数进行设定变更并对所述离子束供给部内进行清洗。

按照所述的装置，与通过基板输送部进行的基板更换作业并行地消除装置运转率下降的原因，因此能够比以往的技术显著地提高装置的运转率。

此外，优选的是，所述离子束照射装置还包括存储装置，该存储装置存储有用于清洗所述离子束供给部内的清洗用运转参数，在清洗所述离子束供给部内时，从所述存储装置读出所述清洗用运转参数。

按照该结构，在清洗离子束供给部时，无需从头开始调节清洗用运转参数。由此，能够充分确保清洗所需的时间，因此能够获得足够的清洗效果。其结果，能够使离子束照射装置以更稳定的状态继续运转。

此外，优选的是，所述存储装置中存储有多个所述清洗用运转参数，根据所述离子束照射装置的运转时间、离子束照射条件以及在所述离子束供给部发生的放电次数中的任意一项，从所述存储装置读出所述清洗用运转参数。

如果采用该结构，则能够根据装置的运转状态高效地清洗离子束供给部。

在清洗离子束供给部内之后，优选的是通过下述方式确认离子束的重新产生是否正常进行了。所述方式为：所述离子束照射装置还包括离子束电流测量仪，该离子束电流测量仪设置在所述处理室内，对所述离子束的电流进行测量，从所述离子束供给部内的清洗结束起经过规定时间之后，开始利用所述离子束电流测量仪进行测量。

利用该结构，能够准确地测量离子束电流。进而，能够缩短重新产生离子束所需的时间，并且能够正常地实施之后对基板进行的离子束照射处理。

此外，为了在清洗离子束供给部内之后使离子束的重新产生顺利进行，并防止成为放电的原因的沉积物的附着，优选的是，所述离子束供给部包括：等离子体生成容器，掺杂气体导入该等离子生成容器，在该等离子生成容器的内部生成等离子体；以及引出电极系统，由多个电极组构成，用于从在所述等离子体生成容器内生成的等离子体引出离子束，在所述离子束供给部内的清洗结束之后、且在导入所述等离子体生成容器内的所述掺杂气体的导入量达到规定量之后，通过向所述引出电极系统施加规定电压来引出所述离子束。