[发明专利]含有集成中间电路芯片的三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器(50)，其特征在于包括：

一三维阵列芯片(30)，该三维阵列芯片(30)含有至少一三维存储阵列(22aa…)，该三维存储阵列(22aa…)含有多个相互堆叠的存储层(16A, 16B…)；

一中间电路芯片(40)，该中间电路芯片(40)含有一读/写电压生成器(41)和一地址/数据转换器(47)，该读/写电压产生器(41)为该三维阵列芯片(30)提供至少一与电源电压(V_DD)不同的读电压(V_R)和/或写电压(V_W)，该地址/数据转换器(47)将主机的地址/数据(54)与该三维阵列芯片(30)的地址/数据(58)相互转换；

所述三维阵列芯片(30)和所述中间电路芯片(40)为两个不同的芯片。

2.一种三维存储器(50)，其特征在于包括：

第一和第二三维阵列芯片(30a, 30b)，该第一和第二三维阵列芯片(30a, 30b)分别含有至少一三维存储阵列(22aa…)，该三维存储阵列(22aa…)含有多个相互堆叠的存储层(16A, 16B…)；

一中间电路芯片(40)，该中间电路芯片(40)含有一读/写电压生成器(41)和一地址/数据转换器(47)，该读/写电压产生器(41)为该第一和第二三维阵列芯片(30a, 30b)提供至少一与电源电压(V_DD)不同的读电压(V_R)和/或写电压(V_W)，该地址/数据转换器(47)将主机的地址/数据(54)与该第一和第二三维阵列芯片(30a, 30b)的地址/数据(58)相互转换；

所述第一、第二三维阵列芯片(30a, 30b)和所述中间电路芯片(40)为三个不同的芯片。

3.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：该读/写电压产生器(47)含有一直流－直流变换器（DC－DC converter）。

4.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：该地址/数据转换器(47)是一地址转换器(43)，该地址转换器(43)含有地址映射表(82)、故障块表(84)和磨损管理表(86)中的至少一种。

5.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：该地址/数据转换器(47)是一数据转换器(45)，该数据转换器(45)含有ECC编码器(96)和ECC解码器(98)中的至少一种。

6.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：该三维阵列芯片芯片(30)还含有至少一串行器－解串器(49)。

7.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：所述三维存储器含有三维只读存储器（3D-ROM）和/或三维随机读取存储器（3D-RAM）。

8.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：所述三维存储器含有memristor、resistive random-access memory（RRAM或ReRAM）、phase-change memory（PCM）、programmable metallization memory（PMM）和 conductive-bridging random-access memory（CBRAM）中的至少一种。

9.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：所述三维存储器是存储卡、固态硬盘、多芯片封装和多芯片组件中的至少一种。

10.根据权利要求1和2所述的存储器，其特征还在于：所述三维阵列芯片的阵列效率大于40％。