[发明专利]MIM电容的制造方法在审
| 申请号： | 201310071805.0 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104037120A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 董天化;朱赛亚;王亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容 制造 方法 | ||
1.一种MIM电容的制造方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上沉积底层金属层；
对所述底层金属层进行原位退火处理；
在所述底层金属层上沉积绝缘层；
在所述绝缘层上沉积顶层金属层；
利用光刻手段在所述顶层金属层表面定义出MIM电容区域；
对顶层金属层进行刻蚀，以去除MIM电容区域外的顶层金属层，以制成MIM电容。
2.根据权利要求1所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述底层金属层的材料为Cu，所述绝缘层的材料为SiN，所述顶层金属层的材料为Ta。
3.根据权利要求1所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述原位退火温度为350～450℃，退火气氛为N2，退火时间为20～40S。
4.根据权利要求1所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述MIM电容的容量为2fF。
5.根据权利要求1所述的MIM电容的制造方法，其特征在于，所述对顶层金属层进行刻蚀采用缩短主刻蚀时间并延长过刻蚀时间的方法。
6.根据权利要求1至5任一项所述的MIM电容的制造方法，其特征在于，在沉积底层金属层后，对所述底层金属层进行原位退火之前，还包括：
对所述底层金属层进行化学机械研磨CMP。
7.根据权利要求1至5任一项所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：
所述衬底中具有前段工艺FOEL中形成的半导体器件。
8.根据权利要求1至5任一项所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述底层金属层采用物理气相沉积PVD、化学气相沉积CVD或者电镀方法进行沉积，所述顶层金属层采用物理气相沉积PVD、化学气相沉积CVD或者电镀方法进行沉积。
9.根据权利要求1至5任一项所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积PECVD方法进行沉积。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
