[发明专利]用于极紫外光刻掩模缺陷探测的双焦斜入射干涉显微装置有效
申请号: | 201310069314.2 | 申请日: | 2013-03-05 |
公开(公告)号: | CN103135366A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 高志山;王帅;袁群;成金龙;叶井飞 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/84;G02B27/44;G01N21/95 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 紫外 光刻 缺陷 探测 双焦斜 入射 干涉 显微 装置 | ||
1.一种用于极紫外光刻掩模缺陷探测的双焦斜入射干涉显微装置,其特征在于:包括13.5nm极紫外光源(7)、真空室(9)、真空抽气泵(12)、气浮光学隔振平台(13)、极紫外CCD(14)、五维掩模调整扫描工作台(18)、五维掩模调整扫描工作台控制器(17)、双焦波带片斜入射干涉显微光学组件;真空室(9)设置在气浮光学隔振平台(13)上,真空抽气泵(12)设置在真空室(9)底部与真空室(9)相连通,极紫外CCD(14)设置在真空室(9)的顶部与出射光束的位置相对应;五维掩模调整扫描工作台(18)设置在真空室(9)底部,五维掩模调整扫描工作台控制器(17)设置在真空室(9)侧面,双焦波带片斜入射干涉显微光学组件设置在真空室(9)内,位于五维掩模调整扫描工作台(18)上方,其入射光光轴与极紫外光源入口的中轴重合;其中,双焦波带片斜入射干涉显微光学组件包含第一折转反射镜(10)、第一双焦波带片显微物镜(8)、第二双焦波带片显微物镜(15)、第二折转反射镜(16),第一折转反射镜(10)、第二折转反射镜(16)、第一双焦波带片显微物镜(8)和第二双焦波带片显微物镜(15)均用夹持器固定于真空室(9)的内壁,经过准直的极紫外光入射到第一折转反射镜(10)上,反射后平行光入射到第一双焦波带片显微物镜(8)上,经过第一双焦波带片显微物镜(8)的反射,光束转变为一束焦点位于有限远的会聚光(20)和一束焦点位于无穷远的平行光(21),会聚光(20)作为测试光,平行光(21)作为参考光,两束光以相同的入射角入射到掩模(11)表面,经掩模(11)反射的两束光又入射到第二双焦波带片显微物镜(15)上,第二双焦波带片显微物镜(15)将测试光转变为平行光,参考光仍为平行光,参考平行光与测试平行光之间产生干涉,干涉光经过第二折转反射镜(16)反射后,入射到极紫外CCD(14)上。
2.根据权利要求1所述的一种用于极紫外光刻掩模缺陷探测的双焦斜入射干涉显微装置,其特征在于:所述的第一折转反射镜(10)和第二折转反射镜(16)是一种双曲率曲面镜。
3.根据权利要求1所述的一种用于极紫外光刻掩模缺陷探测的双焦斜入射干涉显微装置,其特征在于:所述第一双焦波带片显微物镜(8)和第二双焦波带片显微物镜(15)融合了两种频率成分的位相型反射计算全息图。
4.根据权利要求1所述的一种用于极紫外光刻掩模缺陷探测的双焦斜入射干涉显微装置,其特征在于:所述的五维掩模调整扫描工作台(18)水平方向的最大位移距离为160mm×160mm,最小步长5μm。
5.根据权利要求1所述的一种用于极紫外光刻掩模缺陷探测的双焦斜入射干涉显微装置,其特征在于:所述的五维掩模调整扫描工作台(18) 垂直的最大位移量为10mm,最小步长为0.1μm。
6.根据权利要求1所述的一种用于极紫外光刻掩模缺陷探测的双焦斜入射干涉显微装置,其特征在于:所述的双焦波带片斜入射干涉显微光学组件中第一折转反射镜(10)与入射光束间夹角为30°,第一双焦波带片显微物镜(8)与入射光束间夹角为53.5°,第二双焦波带片显微物镜(15)与入射光束间夹角为61.6°,第二折转反射镜(16)与入射光束间的夹角为30°。
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