[发明专利]激光加工方法和激光加工装置

说明书

技术领域

本发明涉及通过对混合有多个部件的被加工物照射激光光线来形成激光加工槽的激光加工方法和激光加工装置。

背景技术

如本领域技术人员所周知，在半导体器件制造工艺中，通过在大致圆板形状的半导体基板的表面排列成格子状的、称为间隔道的切断预定线来划分多个区域，，沿着间隔道切断在该划分的区域形成有IC、LSI等器件的半导体晶片来制造各个半导体器件。半导体晶片沿着间隔道的切断，通常是通过切削装置来进行的。该切削装置具有：保持作为被加工物的半导体晶片的卡盘台；用于切削保持在该卡盘台上的半导体晶片的切削构件；以及使卡盘台和切削构件相对移动的移动构件。切削构件包含高速旋转的旋转主轴和在该主轴上安装的切削刀。切削刀由圆盘状的基座和在该基座的侧面外周部安装的环状的切削刃构成，切削刃例如通过电铸来固定粒径3μm左右的钻石磨粒并将厚度形成为20μm左右。

另外，最近，实用化有如下方式的半导体晶片：为了提高IC、LSI等器件的处理能力，在如硅晶片那样的半导体基板的表面层叠了由SiOF、BSG（SiOB）等无机物系的膜或聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等聚合物膜即有机物系的膜构成的低介电常数绝缘体被膜（Low-k膜）。

另外，实用化有如下半导体晶片：在间隔道上的Low-k膜上部分地配设有用于测试器件功能的、称为测试元件组（Teg）的测试用金属图案。

当通过切削刀沿着间隔道切削上述层叠了Low-k膜的方式的半导体晶片时，Low-k膜如云母那样被层叠为多层，同时非常脆，因此存在Low-k膜剥离，该剥离到达器件而对半导体器件带来致命损伤的问题。另外，当通过切削刀沿着间隔道切削在间隔道上部分地配设有用于测试器件功能的、称为测试元件组（Teg）的测试用金属图案的半导体晶片时，由于金属图案由铜等具有粘性的金属形成，因此存在产生毛刺并且在器件的侧面产生缺口而降低器件品质的问题。

为了解决上述的问题，提出有如下的晶片的分割方法：沿着半导体晶片的间隔道照射激光光线而形成激光加工槽来去除Low-k膜和Teg，在该去除的区域上定位切削刀来进行切削。但是，在间隔道上配设有Low-k膜和Teg时，由于Low-k膜的加工条件与Teg的加工条件不同，因此实施预先检测Teg的位置来制作坐标数据，根据该坐标数据在Teg上照射激光光线来去除Teg的Teg去除步骤、和在上述Low-k膜的区域上照射激光光线而去除Low-k膜的Low-k膜去除步骤（例如，参照专利文献1）。

【专利文献1】日本特开2005-118832号公报

因此，在上述专利文献1中公开的技术，存在如果不预先检测Teg的位置来制作坐标数据则生产性恶化的问题。另外，在对保持晶片的保持构件进行加工进给时，由于核对保持构件的位置与坐标数据来控制加工条件，因此存在当在保持构件的位置与坐标数据之间产生偏差时，不能通过适当的加工条件来对Teg和Low-k膜进行加工的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供如下所述的激光加工方法和激光加工装置：即使在应激光加工的区域混合有两种以上的部件时，也能在不制作各部件的坐标数据的情况下通过适合于各部件的加工条件来实施激光加工。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种激光加工方法，通过对混合有多个部件的被加工物照射激光光线来形成激光加工槽，该激光加工方法包括：加工条件设定步骤，设定与形成构成被加工物的多个部件的物质分别对应的加工条件；波长检测步骤，检测等离子光的波长，该等离子光是通过对构成被加工物的多个部件照射激光光线而分别产生的；加工条件选定步骤，在实施了波长检测步骤之后，设定与对应于检测到的等离子光的波长的部件对应的加工条件；以及激光加工步骤，以所选定的加工条件对被加工物照射激光光线而形成激光加工槽。