[发明专利]压电器件及压电器件的制造方法

权利要求书

1.一种压电器件，具备：

压电体薄膜；

功能电极，其被设置在所述压电体薄膜的第一主面侧且与所述压电体薄膜机电耦合；

半导电层，其由半导体材料、或金属与该金属的氧化物的混合材料组成，被设置在所述压电体薄膜的第二主面侧；

分别被设置在所述半导电层的一个主面和另一个主面的氧化硅膜；和

支撑基板，其被设置于所述压电体薄膜的第二主面侧，使所述半导电层介于所述支撑基板与所述压电体薄膜之间。

2.根据权利要求1所述的压电器件，其中，

所述半导电层的体积电阻率为1×10^-5(Ω·m)～1×10²(Ω·m)。

3.根据权利要求1或2所述的压电器件，其中，

所述半导电层是作为半导体材料的钛氧化物、锌氧化物、氧化锆氧化物、铬氧化物、硅的任一种，或者是以下所述的混合物的任一种：铝与铝氧化物的混合物、钴与钴氧化物的混合物、铜与铜氧化物的混合物、铬与铬氧化物的混合物、铁与铁氧化物的混合物、钼与钼氧化物的混合物、镍与镍氧化物的混合物、铌与铌氧化物的混合物、钛与钛氧化物的混合物、硅与硅氧化物的混合物、钽与钽氧化物的混合物、钨与钨氧化物的混合物、锌与锌氧化物的混合物、锆与锆氧化物的混合物。

4.根据权利要求1或2所述的压电器件，其中，

所述半导电层的膜厚为100nm以下。

5.根据权利要求1或2所述的压电器件，其中，

所述压电体薄膜由压电单晶体构成，是膜应力在第一主面侧与第二主面侧存在差别的晶体构造。

6.根据权利要求5所述的压电器件，其中，

由所述压电单晶体构成的压电体薄膜是氢原子或氦原子作为介入原子介入晶体，且介入原子的分布密度在第一主面侧与第二主面侧存在差别的晶体构造。

7.一种压电器件的制造方法，具有：

形成将金属层和分别被设置在所述金属层的一个主面和另一个主面的氧化硅膜介于之间的压电体薄膜与支撑基板的接合体的接合体形成工序；

使所述金属层氧化来形成半导电层的半导电层形成工序；和

在所述压电体薄膜的第一主面侧形成与所述压电体薄膜进行机电耦合的功能电极的功能电极形成工序，

所述半导电层是构成所述金属层的金属与其氧化物混合的层，或是由半导体构成的层，该半导体是构成所述金属层的金属的氧化物。

8.根据权利要求7所述的压电器件的制造方法，其中，

该制造方法还具有形成层叠于所述金属层上的氧化物层的氧化物层形成工序。

9.根据权利要求7或8所述的压电器件的制造方法，其中，

所述接合体形成工序在惰性气体气氛下或真空下被连续地进行。

10.根据权利要求7或8所述的压电器件的制造方法，其中，

该制造方法还具有：

从压电基板的接合面注入离子化的元素，以在所述压电基板之中形成所述元素集中存在的区域的离子注入工序；和

通过加热而将所述压电基板中的接合面侧的区域作为压电体薄膜残留下来的分离工序。

11.根据权利要求7或8所述的压电器件的制造方法，其中，

该制造方法还具有：

向压电基板注入离子化的元素，以在所述压电基板之中形成所述元素集中存在的区域的离子注入工序；

在所述压电基板的离子注入面侧，形成由与所述压电基板同种的材料构成、或者作用于与所述压电基板的界面的热应力比作用于所述支撑基板和所述压电基板的界面的热应力小的临时支撑基板的临时支撑工序；

通过加热而将压电体薄膜从所述压电基板分离的分离工序；以及

在自所述压电基板分离出的所述压电体薄膜上形成所述支撑基板的支撑工序。