[实用新型]发光器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电技术领域，尤其涉及一种发光器件。

背景技术

有机电致发光二极管OLED(Organic Light-Emitting Diode)被认为是继液晶显示技术之后的最理想的第三代显示技术，在平板显示、照明、显示器背光源等各个领域具有广泛的应用。

OLED中的有机材料对氧气敏感，一旦接触到氧气，易于与氧气发生反应，从而使OLED的性能产生恶化。为了防止这种情况发生，现有技术中，一般使用玻璃对OLED的整个发光部分进行包覆。使用玻璃包覆虽然能够避免OLED中的有机材料与氧气接触，但是，由于OLED本身与包覆的玻璃之间留有缝隙，而且，玻璃本身是不容易导热的材料，因此，OLED通电工作所产生的热量不易于传导出去，易造成OLED过热损坏，影响OLED的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于，提供一种发光器件，能够有效改善发光器件的散热性能，从而延长发光器件的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型实施例提供了一种发光器件，包括基板，所述基板上设置有发光部；所述发光器件中还集成有半导体热电制冷部，所述半导体热电制冷部设置在所述发光部上。

具体的，所述半导体热电制冷部包括第一绝缘导热层、半导体热电堆层和第二绝缘导热层，所述第一绝缘导热层设置在所述发光部上，所述半导体热电堆层设置在所述第一绝缘导热层上，所述第二绝缘导热层设置在所述导体热电堆层上；所述半导体热电堆层中分布有至少一个半导体制冷单元，每个半导体制冷单元包括金属下电极、P型半导体、N型半导体和金属上电极；所述金属下电极设置在所述第一绝缘导热层上；所述P型半导体和N型半导体设置在所述金属下电极上，所述P型半导体的底部和N型半导体的底部通过所述金属下电极相连接；所述金属上电极设置在所述P型半导体的顶部和所述N型半导体的顶部。

可选的，所述半导体热电制冷部包括多个半导体制冷单元，所述多个半导体制冷单元通过所述金属上电极串联连接、并联连接或串并联组合连接。

进一步的，在本实用新型的一个实施例中，同一个所述半导体制冷单元的P型半导体和N型半导体之间，以及相邻的所述半导体制冷单元之间设置有绝缘隔离部。

在本实用新型的一个实施例中，所述发光器件为有机电致发光二极管OLED；所述发光部包括阳极层、有机功能层和金属电极层；所述阳极层设置在基板上，所述有机功能层设置在所述阳极层上，所述金属电极层设置在所述有机功能层上；所述第一绝缘导热层设置在所述金属电极层上。

可选的，在本实用新型的一个实施例中，所述P型半导体的材料选自以下材料中的一种或几种的组合：碲化铋二元固溶体Bi₂Te₃-Sb₂Te₃、碲化铋三元固溶体Bi₂Te₃-Sb₂Te₃-Sb₂Se₃，P型Ag_(1-x)Cu_(x)TiTe，YBaCuO超导材料；所述N型半导体的材料选自以下材料中的一种或几种的组合：碲化铋二元固溶体Bi₂Te₃-Bi₂Se₃，碲化铋三元固溶体Bi₂Te₃-Sb₂Te3-Sb₂Se₃，N型Bi-Sb合金，YBaCuO超导材料。

可选的，在本实用新型的一个实施例中，所述金属上电极的材料选自以下材料中的一种：银、铜、金和铝，所述金属上电极厚度为50-1000纳米；所述金属下电极的材料选自以下材料中的一种：银、铜、金和铝，所述金属下电极的厚度为50-1000纳米。