[实用新型]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括基板，所述基板上设置有发光部，其特征在于，

所述发光器件中还集成有半导体热电制冷部，所述半导体热电制冷部设置在所述发光部上；

所述半导体制冷部包括冷端和热端，所述冷端靠近所述发光部，所述热端远离所述发光部。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，

所述半导体热电制冷部包括第一绝缘导热层、半导体热电堆层和第二绝缘导热层，所述第一绝缘导热层设置在所述发光部上，所述半导体热电堆层设置在所述第一绝缘导热层上，所述第二绝缘导热层设置在所述导体热电堆层上；

所述半导体热电堆层中分布有至少一个半导体制冷单元，每个半导体制冷单元包括金属下电极、P型半导体、N型半导体和金属上电极；

所述金属下电极设置在所述第一绝缘导热层上；

所述P型半导体和N型半导体设置在所述金属下电极上，所述P型半导体的底部和N型半导体的底部通过所述金属下电极相连接；

所述金属上电极设置在所述P型半导体的顶部和所述N型半导体的顶部。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，

所述半导体热电制冷部包括多个半导体制冷单元；

所述多个半导体制冷单元通过所述金属上电极串联连接、并联连接或串并联组合连接。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，同一个所述半导体制冷单元的P型半导体和N型半导体之间，以及相邻的所述半导体制冷单元之间设置有绝缘隔离部。

5.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，

所述发光器件为有机电致发光二极管OLED；

所述发光部包括阳极层、有机功能层和金属电极层；

所述阳极层设置在基板上，所述有机功能层设置在所述阳极层上，所述金属电极层设置在所述有机功能层上；

所述第一绝缘导热层设置在所述金属电极层上。

6.根据权利要求2至5任一项所述的发光器件，其特征在于，

所述P型半导体的材料选自以下材料中的一种或几种的组合：

碲化铋二元固溶体Bi₂Te₃-Sb₂Te₃、碲化铋三元固溶体Bi₂Te₃-Sb₂Te₃-Sb₂Se₃，P型Ag_(1-x)Cu_(x)Ti Te，YBaCuO超导材料；

所述N型半导体的材料选自以下材料中的一种或几种的组合：

碲化铋二元固溶体Bi₂Te₃-Bi₂Se₃，碲化铋三元固溶体Bi₂Te₃-Sb₂Te₃-Sb₂Se₃，N型Bi-Sb合金，YBaCuO超导材料。

7.根据权利要求2至5任一项所述的发光器件，其特征在于，

所述金属上电极的材料选自以下材料中的一种：银、铜、金和铝，所述金属上电极厚度为50-1000纳米；

所述金属下电极的材料选自以下材料中的一种：银、铜、金和铝，所述金属下电极的厚度为50-1000纳米。

8.根据权利要求4或5所述的发光器件，其特征在于，

所述第一绝缘导热层的材料选自类金刚石、氮化铝、氮化硼、氮化硅、三氧化二铝、氧化镁中的一种，所述第一绝缘导热层的厚度为100-5000纳米；

所述第二绝缘导热层的材料选自类金刚石、氮化铝、氮化硼、氮化硅、三氧化二铝、氧化镁中的一种，所述第二绝缘导热层的厚度为100-5000纳米。