[实用新型]一种同轴封装PIN-FET光接收组件有效
申请号: | 201220218004.3 | 申请日: | 2012-05-15 |
公开(公告)号: | CN202585494U | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 黄章勇;胡思强;娄永国;刘兆兵 | 申请(专利权)人: | 深圳市飞康技术有限公司;江西飞信光纤传感器件有限公司 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/024;G01C19/72 |
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地址: | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 同轴 封装 pin fet 接收 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种TO-can(Transistor Outline Can,以下简称TO-can)同轴封装光接收组件,尤其涉及一种同轴封装PIN-FET光接收组件。
背景技术
目前广泛应用于光纤陀螺等光纤传感系统的PIN-FET光接收组件是PIN光电二极管和由场效应晶体管(FET)、微波三极管等分离元件构成的前置放大电路的组合。其工作原理是将接收到的光信号,由PIN光电二极管进行光电转换,转换后的电信号经前置放大器进行信号放大输出,输出的电信号具有高增益、高带宽、低噪声等特点。由于分离元件构成的前置放大电路其分布参数对PIN-FET光接收组件的高增益、高带宽、低噪声等性能造成不利影响,同时由于现有PIN-FET光接收组件均采用双列直插式管壳封装,使PIN-FET光接收组件存在结构尺寸大、成本高等缺点。
实用新型内容
为克服以上不足,本实用新型提供一种尺寸小、性能好、成本低的同轴封装PIN-FET光接收组件。
为达到以上发明目的,本实用新型提供一种同轴封装PIN-FET光接收组件,包括一TO-can管座、一用于该管座气密封装的管帽和一光纤适配器,所述TO-can管座安装设置一半导体集成式前置放大器芯片和一光电转换器件芯片,该光电转换器件芯片与光纤适配器光纤端面之间设有一汇聚透镜。
所述TO-can管座为TO-46、TO-8或TO-5管座。
所述半导体集成式前置放大器芯片为CMOS跨阻前置放大集成电路。
所述光电转换器件芯片为PIN-PD光电二极管芯片或APD雪崩光电二极管芯片。
所述汇聚透镜为一球透镜,该透镜位于所述管帽中心。
所述光纤适配器包括一尾纤连接头。
所述光纤适配器包括一插拔式连接头。
由于采用专用的高灵敏、低噪声、高带宽半导体集成式前置放大器芯片,几乎无外部连接元件,克服了电路的分布参数对电路性能的影响,与PIN-PD或APD光电二极管芯片一起气密封装于较小的TO-can管座上,结构紧凑,因而采用本实用新型同轴封装PIN-FET光接收组件较之前的双列直插式封装的PIN-FET光接收组件体积小、重量轻、性能好、成本低。
附图说明
图1表示本实用新型同轴封装PIN-FET光接收组件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细描述本实用新型最佳实施例。
如图1所示的同轴封装PIN-FET光接收组件,包括一TO-can管座1、一用于该管座气密封装的管帽4和一光纤适配器5,TO-can管座1安装设置一半导体集成式前置放大器芯片2和一光电转换器件芯片3,该光电转换器件芯片与光纤适配器5光纤端面之间设有一汇聚透镜6,该透镜可以是球透镜,位于管帽4中心,形成管帽透镜。TO-can管座1可以采用TO-46、TO-8或TO-5管座。光电转换器件芯片3可以采用PIN-PD光电二极管芯片或APD雪崩光电二极管芯片。半导体集成式前置放大器芯片2采用互补金属氧化物半导体CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)工艺制作的专用高跨阻前置放大集成电路,取代传统的混合集成高跨阻FET前置放大器。光纤适配器5可以是一尾纤连接头或插拔式连接头。光信号通过光纤适配器5输入,经汇聚透镜6聚焦后由光电转换器件芯片3接收并转换成电信号输入到专用半导体集成式前置放大器芯片2,将电信号放大输出。由于采用专用的高灵敏、低噪声、高带宽半导体集成式前置放大器芯片2,几乎无外部连接元件,克服了电路的分布参数对电路性能的影响,与PIN或APD光电二极管芯片一起气密封装于较小的TO-can管座1上,其结构紧凑,因而采用本实用新型同轴封装PIN-FET光接收组件较之前的双列直插式封装的PIN-FET光接收组件体积小、重量轻、性能好、成本低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的