[实用新型]平板型耐高温晶闸管

说明书

技术领域

本实用新型涉及的是220A平板型耐高温晶闸管，属功率半导体器件，用于平板型耐高温晶闸管结构，它可应用于高温环境中运作的器件，特别是全控整流桥、直流电动机、交流电限速器和交流电动机等。

背景技术

目前，普通型晶闸管的芯片为四层三结结构，P-N结深80-85微米。P层表电阻率14-22 欧姆，短路点的直径320微米，短路点间距为1000微米，这样的结构，在1200V工作电话下，只能承受125-140°С的工作环境，当温度超过140°С，晶闸管的电压就会急速下降，使得电压不稳，从而导致器件无法正常工作。

发明内容

本实用新型目的是针对上述不足之处提供一种平板型耐高温晶闸管，通过优化芯片结构来提高晶闸管的承受温度能力。

平板型耐高温晶闸管是采取以下技术方案实现：平板型耐高温晶闸管包括阴极底座、阳极底座、阴极垫片、阳极垫片、晶闸管芯片、固定环、陶瓷外壳和控制门极，在阴极底座和阳极底座之间装有晶闸管芯片，在晶闸管芯片与阳极底座之间装有阳极垫片，在晶闸管芯片与阴极底座之间装有阴极垫片，控制门极安装在阴极垫片上，固定环安装在晶闸管芯片端部，用以固定晶闸管芯片，在阴极底座和阳极底座之间的两端封装有陶瓷外壳。

所述的阴极底座和阳极底座为铜底座。

所述的阴极垫片和阳极垫片为银垫片。

所述的固定环采用氟塑固定环。

平板型耐高温晶闸管设计合理、结构紧凑，在高温环境中正常运行，保持电压稳定。平板型耐高温晶闸管的结构可以减少短路点直径、缩小短路点间距，将短路点排布图更改为正六边形，将P-N结深提高到105-110微米，P层电阻率为5-8欧姆，门极支条数量增加到6个，扩大门极支条数量增加到12个，平板型耐高温晶闸管为200A, 1400V的晶闸管，承受温度达到165℃，当温度达到165℃时，电压保持稳定，器件能够正常运行工作。

附图说明

    以下将结合附图对本发明作进一步说明：

    图1是本实用新型平板型耐高温晶闸管的结构示意图。

图2是本实用新型平板型耐高温晶闸管的短路点排布示意图。

图3是本实用新型平板型耐高温晶闸管的P-N结深示意图。

图中：1、阴极底座，2、阳极底座，3、阴极垫片，4、阳极垫片，5、晶闸管芯片，6、固定环，7、陶瓷外壳，8、控制门极，9、门极支条，10、扩大门极支条。

具体实施方式

 参照附图1~3，平板型耐高温晶闸管包括阴极底座1、阳极底座2、阴极垫片3、阳极垫片4、晶闸管芯片5、固定环6、陶瓷外壳7和控制门极8，在阴极底座1和阳极底座2之间装有晶闸管芯片5，在晶闸管芯片5与阳极底座2之间装有阳极垫片4，在晶闸管芯片5与阴极底座1之间装有阴极垫片3，控制门极8安装在阴极垫片3上，固定环6安装在晶闸管芯片5端部，用以固定晶闸管芯片5，在阴极底座1和阳极底座2之间的两端封装有陶瓷外壳7。

所述的阴极底座1和阳极底座2为铜底座。

所述的阴极垫片3和阳极垫片4为银垫片。

所述的固定环6采用氟塑固定环。

平板型耐高温晶闸管的结构可以减少短路点直径、缩小短路点间距，将短路点排布图更改为正六边形，将P-N结深提高到105-110微米，P层电阻率为5-8欧姆，门极支条9数量增加到6个，扩大门极支条10数量增加到12个，平板型耐高温晶闸管为200A, 1400V的晶闸管，承受温度达到165℃，当温度达到165℃时，电压保持稳定，器件能够正常运行工作。

 

备注：上述表为平板型耐高温晶闸管的基本参数对应表。