[发明专利]曝光装置有效
申请号: | 201210587429.6 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103901733B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 葛黎黎;王天明 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 | ||
1.一种曝光装置,用于将电路图形投影于涂有光刻胶的硅片上,其特征在于,包括整机框架系统、传输系统以及设置在所述整机框架系统内部的曝光系统、运动台系统、测量系统和对准系统,所述曝光系统用于将电路图形投影于所述硅片上,包括照明模块、物镜及灯室,所述物镜采用放大倍率,所述运动台系统包括掩模台和工件台,所述掩模台和工件台分别用于承载掩模版和硅片,所述掩模台长行程采用粗微动结构,所述工件台上还设有反力外引机构,所述测量系统用于测量工件台及掩模台长行程的相对运动距离,所述对准系统用于测量所述掩模版、掩模台和工件台三者之间的相对位置,所述传输系统用于所述掩模版及硅片的交换工作。
2.根据权利要求1所述曝光装置,其特征在于,所述物镜的放大倍率为1:2。
3.根据权利要求1所述曝光装置,其特征在于,还包括环境控制系统,所述环境控制系统用于控制该曝光装置中的其他系统的温度、湿度、压力和洁净度。
4.根据权利要求1所述曝光装置,其特征在于,所述灯室提供的光源经所述照明模块滤波、匀光、扩束后,照射到所述掩模版上,光束接收所述掩模版上的掩模信息后经所述物镜照射到所述硅片上。
5.根据权利要求1所述曝光装置,其特征在于,所述整机框架系统包括减振器系统以及由所述减振器系统分隔开的内部框架和外部框架。
6.根据权利要求5所述曝光装置,其特征在于,所述运动台系统还包括工件台长行程电机定子,所述反力外引机构包括两个工件台反力外引支架、弹簧和缓冲器,所述两个工件台反力外引支架间隔设置于所述整机框架系统的外部框架上,所述工件台长行程电机定子的两端分别通过所述弹簧和缓冲器与所述两个工件台反力外引支架连接,所述工件台在所述工件台长行程电机定子上运动。
7.根据权利要求6所述曝光装置,其特征在于,所述内部框架包括吊框、主基板、掩模台支架和照明支架,所述减振器系统设置于所述外部框架上,所述吊框设置于所述减振器系统上,所述主基板设置于所述吊框上,所述掩模台支架设置于所述主基板上,所述照明支架设置于所述掩模台支架上,所述吊框用于承载所述工件台,所述物镜穿设于所述掩模台支架与主基板中,所述掩模台支架用于承载所述掩模台,所述照明支架用于承载所述照明模块。
8.根据权利要求7所述曝光装置,其特征在于,所述主基板为“桥”式结构。
9.根据权利要求8所述曝光装置,其特征在于,所述主基板部分镂空。
10.根据权利要求9所述曝光装置,其特征在于,所述主基板的镂空处填充阻尼材料。
11.根据权利要求10所述曝光装置,其特征在于,所述阻尼材料为树脂或橡胶。
12.根据权利要求7所述曝光装置,其特征在于,所述减振器系统包括四个减振器,分别设置于所述外部框架的四角。
13.根据权利要求7所述曝光装置,其特征在于,所述减振器系统根据所述工件台及掩模台提供的水平向加速信号和位置信号对所述内部框架做前馈补偿。
14.根据权利要求6所述曝光装置,其特征在于,还包括调平垫铁,所述调平垫铁设置于所述外部框架下,所述调平垫铁用于调平所述运动台系统。
15.根据权利要求1所述曝光装置,其特征在于,所述测量系统包括掩模台激光干涉仪和工件台激光干涉仪,所述掩模台激光干涉仪和工件台激光干涉仪分别用于测量所述掩模台和工件台的长行程相对运动距离。
16.根据权利要求15所述曝光装置,其特征在于,所述测量系统还包括掩模台参考光激光干涉仪,所述掩模台参考光激光干涉仪辅助所述掩模台激光干涉仪进行掩模台长行程的相对运动距离测量。
17.根据权利要求1所述曝光装置,其特征在于,所述对准系统包括同轴对准传感器、离轴对准传感器、调平调焦传感器和掩模台垂向电容传感器,所述同轴对准传感器用于确定所述工件台相对于所述掩模台的水平向位置关系,所述离轴对准传感器用于确定所述工件台相对于所述硅片的位置关系,所述调平调焦传感器用于检测所述硅片的垂向位置,所述掩模台垂向电容传感器用于检测所述掩模版的垂向位置。
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