[发明专利]一种可变色发光元件、像素结构及显示装置有效
申请号: | 201210546075.0 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103872068A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 杨栋芳;李周炫;金馝奭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 蒋雅洁;武晨燕 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 变色 发光 元件 像素 结构 显示装置 | ||
1.一种可变色发光元件,其特征在于,所述可变色发光元件包括:衬底、第一有机发光二极管OLED和第二OLED,其中,所述第一OLED形成于所述衬底上,所述第二OLED层叠于所述第一OLED之上;
所述第一OLED与所述第二OLED具有一个公共电极,所述公共电极为半反射半透明电极;光射出端的透明电极与所述公共电极之间为所述第一OLED和所述第二OLED中发射较短波长光的OLED;所述公共电极与全反射电极之间为所述第一OLED和所述第二OLED中发射较长波长光的OLED。
2.根据权利要求1所述的可变色发光元件,其特征在于,所述第一OLED和所述第二OLED具有公共电极,所述公共电极层作为所述第一OLED和所述第二OLED的公共阳极或公共阴极。
3.根据权利要求1所述的可变色发光元件,其特征在于,
所述第一OLED包括:第一电极、第一有机层、第二电极,第一电极形成于所述衬底上,所述第一有机层层叠于所述第一电极之上,所述第二电极层叠于所述第一有机层之上;
所述第二OLED包括:所述第二电极、第二有机层、第三电极,所述第二有机层叠于所述第二电极之上,所述第三电极层叠于所述第二有机层之上;
其中,第二电极是与第一电极极性相反的半反射半透明电极,为公共电极;第三电极为与第一电极极性相同的电极;
第一电极为全反射电极,第一有机层发出长波长的光,第二有机层发出短波长的光,第三电极为透明电极;或者,第一电极为透明电极,第一有机层发出短波长的光,第二有机层发出长波长的光,第三电极为全反射电极。
4.根据权利要求3所述的可变色发光元件,其特征在于,所述透明电极为透明阴极,所述透明阴极的材料为金属、或合金、或金属氧化物;
或者,所述透明电极为透明阳极,所述透明阳极的材料为金属、或金属氧化物、或合金;
或者,所述全反射电极为反射阴极,所述反射阴极的材料为金属、或合金、或金属氧化物;
或者,所述全反射电极为反射阳极,所述反射阳极的材料为金属,或者合金,或者金属、合金与金属氧化物的组合;
或者,
所述半反射半透明电极为公共阴极,所述公共阴极为金属、或合金、或金属氧化物;
或者,所述半反射半透明电极为公共阳极,所述公共阳极为金属,或者合金,或者金属、合金与金属氧化物的组合。
5.根据权利要求1所述的可变色发光元件,其特征在于,
所述第一OLED为产生短波长的光的电致发光元件,所述第二OLED为产生长波长的光的电致发光元件;或者,第一OLED为产生长波长的光的电致发光元件,第二OLED为产生短波长的光的电致发光元件。
6.根据权利要求5所述的可变色发光元件,其特征在于,
所述为产生长波长的光的电致发光元件的第二OLED,进一步具有光致发光的功能,所述第一OLED的发射光谱与所述第二OLED的吸收光谱产生重叠,所述第一OLED发出短波长的光,所述第二OLED吸收短波长的光并发出长波长的光;
或者,所述为产生长波长的光的电致发光元件的第一OLED,进一步具有光致发光的功能,所述第二OLED的发射光谱与所述第一OLED的吸收光谱产生重叠,所述第二OLED发出短波长的光,所述第一OLED吸收短波长的光并发出长波长的光。
7.根据权利要求6所述的可变色发光元件,其特征在于,
所述发出长波长的光的第一OLED或第二OLED具有微腔调节功能,通过调节所述第一OLED或第二OLED的有机层的厚度调节发出的光的光谱。
8.根据权利要求1所述的可变色发光元件,其特征在于,
所述短波长的光和长波长的光分别为蓝光和红光,或者分别为绿光和红光,或者分别为深蓝光和浅蓝光。
9.一种像素结构,其特征在于,所述像素结构包括如权利要求1至8任一项所述的可变色发光元件;
或,所述像素结构包括至少一个如权利要求1至8任一项所述的可变色发光元件和至少一个固定发光颜色的发光元件。
10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,所述固定发光颜色的发光元件为红色发光元件、和/或绿色发光元件、和/或蓝色发光元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的