[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201210537121.0 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103021940A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 封宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,特别是指一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
在TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示器)阵列基板的制备工艺中,过孔形成是一项很重要的内容,需要通过过孔将不同层的金属连接在一起,或将同一层金属连接在一起,过孔工艺的优劣直接影响到阵列基板的良率以及最终显示装置的显示效果。
现有的制备工艺中,都是利用构图工艺一次形成过孔,然后再在形成有过孔的阵列基板上沉积导电层以连接不同层的金属,当过孔的深度比较大时,某些特定位置过孔处的金属连接状况会不够理想,容易出现断路或电阻过大等不良,影响阵列基板的生产良率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置,能够避免出现过孔连接断路或电阻过大等不良,提升阵列基板的生产良率。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种阵列基板的制造方法,在形成金属层的图形时,利用金属层在对应过孔的位置形成凸起。
进一步地,所述过孔包括栅金属层过孔,所述在形成金属层的图形时,利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括:
在形成栅金属层的图形时,利用栅金属层在对应栅金属层过孔的位置形成凸起。
进一步地,所述制造方法具体包括:
提供一基板,在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶;
经过刻蚀形成栅金属层的图形,对光刻胶进行灰化,保留对应栅金属层过孔位置处的光刻胶;
经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述栅金属层过孔的位置形成凸起;
在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层;
在所述钝化层上沉积透明导电层,所述透明导电层通过所述栅金属层过孔与所述凸起连接。
进一步地,所述过孔包括公共电极过孔,所述在形成金属层的图形时,利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括:
在形成公共电极的图形时,利用栅金属层在对应公共电极过孔的位置形成凸起。
进一步地,所述制造方法具体包括:
提供一基板,在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶;
经过刻蚀形成栅金属层的图形,对光刻胶进行灰化,保留对应公共电极过孔位置处的光刻胶;
经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述公共电极过孔的位置形成凸起;
在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层;
在所述钝化层上沉积透明导电层,所述透明导电层通过所述公共电极过孔与所述凸起连接。
进一步地,所述过孔包括像素电极过孔,所述在形成金属层的图形时,利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括:
在形成数据金属层的图形时,利用数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成凸起。
进一步地,所述制造方法具体包括:
提供一基板,在所述基板上形成栅电极和栅线;
在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成有源层的图形;
在形成有所述有源层的图形的基板上形成由数据金属层组成的源电极、漏电极和数据线的图形,并利用所述数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成凸起;
在形成有所述凸起的基板上形成钝化层;
在所述钝化层上形成由透明导电层组成的像素电极,所述像素电极通过所述像素过孔与所述凸起连接。
本发明实施例还提供了一种以上述方法制造的阵列基板,所述阵列基板的金属层图形包括形成在对应过孔位置的凸起。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的阵列基板。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,在对应过孔位置制备相应的凸起,这样在通过过孔连接不同层或者同一层的金属层时,可以利用该凸起完成导电连接,该凸起能够优化过孔处的金属连接状况,可有效的预防过孔断路及电阻过大等不良的出现,使整个阵列基板的生产良率以及最终显示装置的性能得到有效提升。
附图说明
图1为本发明实施例一在基板上沉积栅金属层和光刻胶之后的结构示意图;
图2为本发明实施例一进行第一次曝光显影和刻蚀之后的结构示意图;
图3为本发明实施例一进行光刻胶灰化之后的结构示意图;
图4为本发明实施例一进行第二次刻蚀之后的结构示意图;
图5为本发明实施例一沉积栅绝缘层之后的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造