[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201210537121.0 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103021940A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 封宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,在形成金属层的图形时,利用金属层在对应过孔的位置形成凸起。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述过孔包括栅金属层过孔,所述在形成金属层的图形时,利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括:
在形成栅金属层的图形时,利用栅金属层在对应栅金属层过孔的位置形成凸起。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法具体包括:
提供一基板,在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶;
经过刻蚀形成栅金属层的图形,对光刻胶进行灰化,保留对应栅金属层过孔位置处的光刻胶;
经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述栅金属层过孔的位置形成凸起;
在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层;
在所述钝化层上沉积透明导电层,所述透明导电层通过所述栅金属层过孔与所述凸起连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述过孔包括公共电极过孔,所述在形成金属层的图形时,利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括:
在形成公共电极的图形时,利用栅金属层在对应公共电极过孔的位置形成凸起。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法具体包括:
提供一基板,在所述基板上依次沉积栅金属层和光刻胶;
经过刻蚀形成栅金属层的图形,对光刻胶进行灰化,保留对应公共电极过孔位置处的光刻胶;
经过再次刻蚀利用栅金属层在对应所述公共电极过孔的位置形成凸起;
在形成有所述凸起的基板上依次形成栅绝缘层、有源层、数据金属层和钝化层;
在所述钝化层上沉积透明导电层,所述透明导电层通过所述公共电极过孔与所述凸起连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述过孔包括像素电极过孔,所述在形成金属层的图形时,利用金属层在对应过孔的位置形成凸起包括:
在形成数据金属层的图形时,利用数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成凸起。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法具体包括:
提供一基板,在所述基板上形成栅电极和栅线;
在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成有源层的图形;
在形成有所述有源层的图形的基板上形成由数据金属层组成的源电极、漏电极和数据线的图形,并利用所述数据金属层在对应像素电极过孔的位置形成凸起;
在形成有所述凸起的基板上形成钝化层;
在所述钝化层上形成由透明导电层组成的像素电极,所述像素电极通过所述像素过孔与所述凸起连接。
8.一种以权利要求1-7中任一项所述方法制造的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的金属层图形包括形成在对应过孔位置的凸起。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造