[发明专利]阵列基板、白光有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201210536738.0 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103000660A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 王灿;郭炜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 白光 有机 发光二极管 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于有机发光二极管显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、白光有机发光二极管显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、视角宽等优点;因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
由于白光有机发光二极管(WOLED)的技术最为成熟,稳定性好、制备工艺简单,故在显示装置中获得了广泛应用。为使白光有机发光二极管能进行彩色显示,其还要与彩膜(又称彩色滤光片)配合使用。在白光有机发光二极管显示装置中,每个外界可见的最小像素点(即“可见像素”)由多个像素单元构成,每个像素单元中具有不同颜色的彩膜,从而不同像素单元的白光有机发光二极管发出的光在经过彩膜后变为不同颜色,这些不同颜色的光混合成为“可见像素”发出的光。
如图1所示,现有的白光有机发光二极管显示装置包括阵列基板,基板9上设有薄膜晶体管(TFT)驱动层1;薄膜晶体管驱动层1上设有彩膜5;彩膜5上设有受薄膜晶体管驱动层1驱动的白光有机发光二极管;白光有机发光二极管外设有封闭层6。其中,在逐渐远离基板9的方向上,白光有机发光二极管依次包括透明的阳极层2、白光发光层3、阴极层4;白光发光层3发出的光依次经过阳极层2、彩膜5、薄膜晶体管驱动层1后从基板9射出用于进行显示。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:薄膜晶体管驱动层中设有大量的薄膜晶体管,而薄膜晶体管的有源区不能受光照,故现有的白光有机发光二极管显示装置的阵列基板中还要设置像素限定层(PDL)以避免该区域受到光照,该像素限定层可设在白光发光层与阳极层间以阻断电流,从而阻止该区域的白光有机发光二极管发光,或者,像素限定层也可用于阻挡光线;可见,现有的白光有机发光二极管显示装置开口率低、结构复杂;同时,在上述的白光有机发光二极管显示装置中,彩膜设在阵列基板上(即COA模式),这样虽可省去单独的彩膜基板,但其彩膜与薄膜晶体管驱动层相接触,故会对薄膜晶体管的特性造成影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题包括,针对现有的白光有机发光二极管显示装置开口率低、结构复杂的问题,提供一种开口率高、结构简单的阵列基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板,其包括多个位于基板上的像素单元,在逐渐远离基板的方向上所述像素单元依次包括:
薄膜晶体管驱动层;
受薄膜晶体管驱动层驱动的白光有机发光二极管,在逐渐远离基板的方向上所述白光有机发光二极管依次包括:反光的阳极层、白光发光层、透明的阴极层;
彩膜。
其中,“薄膜晶体管驱动层”包括用于驱动有机发光二极管的薄膜晶体管阵列结构,其包括薄膜晶体管、扫描线、数据线、电源电压线、绝缘层、钝化层等多层结构。“白光发光层”是指可在电流作用下发光的结构,其至少包括一个有机电致发光材料层(EML),但还可包括:位于有机电致发光材料层与阴极层间的电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL);位于有机电致发光材料层与阳极层间的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)等其他结构。而“白光发光层”发白光的功能可通过多种不同的方式实现,如其中可具有交叠设置的发红、绿、蓝三色光的有机电致发光材料层,从而使它们发出的光混合成白光;或者,发不同颜色光的有机电致发光材料可混合成一个有机电致发光材料层,从而发出白光。
本发明的阵列基板中阳极层反光、阴极层透明,从而使光线从远离基板的方向射出,故位于阳极层以下的薄膜晶体管驱动层不会受到光线照射;因此其薄膜晶体管所在的位置也可发光,故开口率高,发光效率高,结构简单,成本低;同时,虽然本发明中彩膜也设在阵列基板上(即也采用COA模式),但彩膜不与薄膜晶体管驱动层接触,不会影响薄膜晶体管的特性。
优选的是,所述阳极层包括靠近基板的反光层和远离基板的透明的阳极导电层。
进一步优选的是,所述反光层由银或铝制成,且厚度大于等于15nm;所述阳极导电层由银的氧化物或碳的氟化物制成,且厚度小于等于5nm。
优选的是,所述阳极层为反光阳极导电层,所述反光阳极导电层由金制成,且厚度在15~30nm之间。
优选的是,所述阴极层包括透明的阴极导电层,所述阴极导电层由氧化铟锡或氧化铟锌制成。
进一步优选的是,所述阴极层还包括:位于所述阴极导电层与白光发光层间的透明的保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的