[发明专利]聚噻吩薄膜场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，聚噻吩薄膜场效应晶体管包括栅电极、绝缘层、有源层、源电极和漏电极，其特征在于，所述有源层包括聚噻吩薄膜，在所述聚噻吩薄膜与源电极、漏电极的连接部加入具有导电性质的掺杂剂。

2.根据权利要求1所述聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述掺杂剂包括BF₄^-、ClO₄^-、I₂、PF₆^-或FeCl₃中的一种。

3.根据权利要求1或2所述聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，掺杂剂的加入方法为喷墨打印，气体喷印，离子注入或溶液滴加法。

4.根据权利要求3所述聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述掺杂剂用量为10^-12～10^-5mmol。

5.根据权利要求1所述聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述聚噻吩薄膜厚度为100~1000nm。

6.根据权利要求1所述聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述聚噻吩薄膜场效应晶体管是顶栅-顶接触型或底栅-顶接触型。

7.根据权利要求1所述聚噻吩薄膜场效应晶体管制作方法获得的薄膜场效应晶体管，包括基底、栅电极、源电极和漏电极、绝缘层和有源层，其特征在于，所述有源层由含掺杂剂的聚噻吩薄膜组成，所述掺杂剂集中于所述有源层及源电极、漏电极的连接部。

8.根据权利要求7所述聚噻吩薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述掺杂剂包括BF₄^-、ClO₄^-、I₂、FeCl₃、PF₆^-中的一种。

9.根据权利要求7或8所述聚噻吩薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述掺杂剂的加入方法为喷墨打印、气体喷印、离子注入或溶液滴加法中的一种。

10.根据权利要求9所述聚噻吩薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述掺杂剂为10^-12~10^-5mmol。

11.根据权利要求7所述聚噻吩薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述聚噻吩薄膜100~1000nm。

12.根据权利要求7所述聚噻吩薄膜场效应晶体管，其特征在于，包括顶栅-顶接触型或底栅-顶接触型。