[发明专利]一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法

权利要求书

1.一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，其特征是：采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后，对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理，并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层，最后将氮化硅涂层进行低温烘烤或免烧结处理，获得晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层。

2.根据权利要求1所述的晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，其特征是：所述坩埚内壁的易粘埚区域主要为坩埚的硅液线区域以及坩埚内部的棱、角区域。

3.根据权利要求1或2所述的晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，其特征是：制得氮化硅涂层的方式为：直接将氮化硅浆料涂布在坩埚内壁的易粘埚区域或坩埚内壁的其它区域，氮化硅浆料中氮化硅颗粒自动沉积，将氮化硅浆料涂布于坩埚的内壁上。

4.根据权利要求3所述的晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，其特征是：所述氮化硅浆料由氮化硅粉末、纯水和粘结剂按重量份比为100:70~450:0.1~15配制而成。

5.根据权利要求4所述的晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，其特征是：所述粘结剂为甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸、聚乙烯醇和胶体二氧化硅中的一种或几种。

6.根据权利要求1或2所述的晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，其特征是：所述致密化处理为：在坩埚的易粘埚区域的氮化硅浆料的干燥过程中，通过搅动、振动或挤压机械作用使坩埚易粘埚区域的氮化硅颗粒呈致密化排列，获得致密化氮化硅涂层。

7.根据权利要求1或2所述的晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，其特征是：所述非浸润性处理为对致密化的氮化硅涂层表面进行表面打磨、抛光及吸附干燥氮化硅粉，获得非浸润性氮化硅涂层。

8.根据权利要求1或2所述的晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，其特征是：低温烘烤处理时的温度为低于500℃。