[发明专利]具有自对准互连件和阻挡部分的半导体器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一层间介电(ILD)层，布置在衬底上方，所述第一ILD层包括第一导电层，所述第一导电层包括沿第一方向的第一导线和第二导线；以及

第二ILD层，布置在所述第一ILD层上方，所述第二ILD层包括第二导电层，所述第二导电层包括沿第二方向的第一导线和第二导线，

其中，所述第二导电层的第一导线形成在所述第一导电层的第一导线上方并在界面处与所述第一导电层的第一导线接触，所述界面在不使用通孔的情况下提供电接触，

其中，所述第二导电层的第二导线形成在所述第一导电层的第二导线上方，以及

其中，在所述第二导电层的第二导线和所述第一导电层的第二导线之间夹置阻挡部分。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二导电层的第一导线延伸穿过所述第二ILD层并穿过形成在所述第二ILD层上方的第三ILD层，

其中，所述第二导电层的第二导线延伸穿过所述第三ILD层到达所述阻挡部分的硬掩模，以及

其中，所述硬掩模布置在所述第二ILD层上方。

3.根据权利要求1所述的器件，所述第二导电层的第一导线的顶面与所述第二ILD层的顶面基本共面，以及

其中，所述第二导电层的第一导线的底面与所述第二ILD层的底面基本共面。

4.一种器件，包括：

第一导电层，布置在衬底上方，所述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一多条导线；

第二导电层，布置在所述第一导电层上方，所述第二导电层包括沿第二方向延伸的第二多条导线；

自对准互连件，形成在所述第一多条导线的第一导线与所述第二多条导线的第一导线电接触的界面处；以及

阻挡部分，夹置在所述第一多条导线的第二导线与所述第二多条导线的第二导线之间。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述阻挡部分还夹置在所述第一多条导线的第三导线与所述第二多条导线的第三导线之间。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述阻挡部分由从第二导线之间延伸至第三导线之间的连续不间断材料形成。

7.一种制造方法，包括：

在衬底上方形成第一导电层，所述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一多条导线；

在所述第一导电层上方形成第二导电层，所述第二导电层包括沿第二方向延伸的第二多条导线；

在所述第一多条导线的第一导线与所述第二多条导线的第一导线电接触的界面处形成自对准互连件；以及

形成夹置在所述第一多条导线的第二导线与所述第二多条导线的第二导线之间的阻挡部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述第一导电层包括在第一层间介电(ILD)层内形成所述第一导电层，以及

其中，形成所述第二导电层包括在第二层间介电(ILD)层内形成所述第二导电层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二多条导线的第一导线形成在所述第二ILD层内以及第三ILD层内，

其中，所述第二多条导线的第二导线形成在所述阻挡部分的硬掩模上以及所述第三ILD层内，以及

其中，所述硬掩模形成在所述第二ILD层的顶面上。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一导电层和所述第二导电层均包括选自由铝、钨和铜所组成的组的材料，以及

其中，所述第一ILD层、所述第二ILD层和第三ILD层均包括低k介电材料。