[发明专利]反相器电路和芯片

权利要求书

1.一种反相器电路，其特征在于，包括：阻变忆阻器方阵和电流敏感模块；

所述阻变忆阻器方阵中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使所述同一列阻变忆阻器的正相输入端作为信号输入端口；

所述阻变忆阻器方阵中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个所述电流敏感模块的输入端相连接，以使所述电流敏感模块的输出端作为信号输出端口；

所述电流敏感模块的输入端工作时连接到低电平，所述电流敏感模块的输入端接收到的电流大于阈值电流时，所述电流敏感模块的输出端输出低电平，所述电流敏感模块的输入端接收到的电流小于阈值电流时，所述电流敏感模块的输出端输出高电平。

2.如权利要求1所述的反相器电路，其特征在于，所述阻变忆阻器的阻态包括：高阻值阻态和低阻值阻态。

3.如权利要求2所述的反相器电路，其特征在于，所述阻变忆阻器方阵中同一行的阻变忆阻器中有一个处于低阻值阻态的阻变忆阻器；以及，所述阻变忆阻器方阵中同一列的阻变忆阻器中有一个处于低阻值阻态的阻变忆阻器。

4.如权利要求3所述的反相器电路，其特征在于，所述阻变忆阻器方阵中左上角到右下角的对角线上的阻变忆阻器的阻态为低阻值阻态。

5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的反相器电路，其特征在于，所述阻变忆阻器包括：单极型阻变忆阻器或双极型阻变忆阻器；以及，所述阻变忆阻器包括：阻变存储器RRAM或相变存储器PRAM或铁电存储器FRAM或磁存储器MRAM。

6.一种芯片，其特征在于，包括：顶电极金属条、底电极金属条和反相器电路；

所述反相器电路包括：阻变忆阻器方阵和电流敏感模块；

所述阻变忆阻器方阵中同一列阻变忆阻器的正相输入端通过所述顶电极金属条相连接，以使所述同一列阻变忆阻器的正相输入端作为信号输入端口；

所述阻变忆阻器方阵中同一行阻变忆阻器的反相输入端通过所述底电极金属条与一个所述电流敏感模块的输入端相连接，以使所述电流敏感模块的输出端作为信号输出端口；

所述电流敏感模块的输入端工作时连接到低电平，所述电流敏感模块的输入端接收到的电流大于阈值电流时，所述电流敏感模块的输出端输出低电平，所述电流敏感模块的输入端接收到的电流小于阈值电流时，所述电流敏感模块的输出端输出高电平。

7.如权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述阻变忆阻器的阻态包括：高阻值阻态和低阻值阻态。

8.如权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述阻变忆阻器方阵中同一行的阻变忆阻器中有一个处于低阻值阻态的阻变忆阻器；以及，所述阻变忆阻器方阵中同一列的阻变忆阻器中有一个处于低阻值阻态的阻变忆阻器。

9.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述阻变忆阻器方阵中左上角到右下角的对角线上的阻变忆阻器的阻态为低阻值阻态。

10.如权利要求6至9中任一权利要求所述的芯片，其特征在于，所述阻变忆阻器包括：单极型阻变忆阻器或双极型阻变忆阻器；以及，所述阻变忆阻器包括：阻变存储器RRAM或相变存储器PRAM或铁电存储器FRAM或磁存储器MRAM。