[发明专利]选择性腐蚀石英晶片的装置有效
申请号: | 201210361063.0 | 申请日: | 2012-09-25 |
公开(公告)号: | CN102904540A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 唐劲;张帮岭 | 申请(专利权)人: | 铜陵晶越电子有限公司 |
主分类号: | H03H3/04 | 分类号: | H03H3/04;C30B33/10 |
代理公司: | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 | 代理人: | 汤茂盛 |
地址: | 244000 安徽省铜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 选择性 腐蚀 石英 晶片 装置 | ||
1.选择性腐蚀石英晶片的装置,其特征是:包括由耐腐蚀材料制成的上、下夹板(1、2),上夹板(1)下端面与下夹板(2)上端面上有相互配合的平面区域,下夹板(2)上端面的平面区域开有数个与晶体方片形成配合的模腔,上、下夹板(1、2)上分别开有与晶体方片上、下端待腐蚀区域相通的腐蚀孔(11、21),腐蚀孔(11、21)的形状与晶体方片待腐蚀区域形状相同。
2.根据权利要求1所述的选择性腐蚀石英晶片的装置,其特征是:上、下夹板(1、2)的边缘设有与平面区域交错设置的配合面。
3.根据权利要求1所述的选择性腐蚀石英晶片的装置,其特征是:上、下夹板(1、2)的边缘对应位置开有定位孔(4)。
4.根据权利要求1或2或3所述的选择性腐蚀石英晶片的装置,其特征是:上、下夹板(1、2)呈对称设置,上夹板(1)下端面和下夹板(2)上端面的平面区域分别开有上、下模腔(13、23),上、下模腔(13、23)合在一起形成与晶体方片形成配合的整体模腔。
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