[发明专利]一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210336819.6 | 申请日: | 2012-09-13 |
公开(公告)号: | CN102891216A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 李佳;黄金华;鲁越晖;宋伟杰;兰品军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/35 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 zno 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将1份体积的颗粒源、1.5~3.5份体积的催化剂、2~3份体积的去离子水、10~20份体积的有机溶剂,在室温下搅拌8~10小时,再加入1份体积的颗粒源及0.1~0.2份体积的去离子水,搅拌8~10小时,获得含有大颗粒的溶液A;
2)将1份体积的颗粒源、0.5~2份体积的催化剂、1.5~3.5份体积的去离子水、10~20份体积的有机溶剂,在室温下搅拌3~8小时,获得含有小颗粒的溶液B;
3)将溶液A和溶液B以1:(0.25~2)的体积比混合,继续搅拌3~6小时,获得含有不同粒径颗粒的混合溶液C;
4)采用涂覆技术将混合溶液C涂覆在光伏玻璃基底的一侧,之后将溶液B涂覆在光伏玻璃基底的另一侧,然后将该玻璃基底在100~400℃温度下干燥10~60分钟;
5)采用直流磁控溅射法在涂覆有混合溶液C并干燥的光伏玻璃基底的一侧溅射沉积形成一定厚度的ZnO基透明导电薄膜,其中,光伏玻璃基底的温度为25~300℃,磁控溅射的靶材为ZnO或ZnO基陶瓷,磁控溅射的溅射腔真空度小于1×10-3Pa,溅射气压为0.2~1.5Pa;
在步骤1)和步骤2)中,所述的颗粒源指的是硅氧化物或金属氧化物的前驱体;
所述的大颗粒与所述的小颗粒的粒径差为250~350nm。
2.根据权利要求1所述的一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的颗粒源为正硅酸甲酯、正硅酸四乙酯、钛酸正丁酯、醋酸锌、硝酸锌、四氯化钛、氯氧化锆中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:在步骤1)中,所述的大颗粒为SiO2、TiO2、ZnO、ZrO2中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:在步骤2)中,所述的小颗粒为SiO2、TiO2、ZnO、ZrO2中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:在步骤1)和步骤2)中,所述的催化剂为氨水、尿素、氢氧化钠中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:在步骤1)和步骤2)中,所述的有机溶剂为乙醇、异丙醇、乙二醇、乙醇胺、二乙醇胺等中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:在步骤4)中,所述的涂覆技术为提拉法、旋涂、喷涂、辊涂、丝网印刷技术中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:在步骤5)中,所述的ZnO基透明导电薄膜的厚度为500~1000 nm。
9.根据权利要求1所述的一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:在步骤5)中,所述的ZnO基陶瓷中ZnO的重量百分比含量a为97%≤a﹤100%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的