[发明专利]一种高密度线路板的制造工艺有效

专利信息
申请号: 201210290786.6 申请日: 2012-08-16
公开(公告)号: CN103596366A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 崔成强 申请(专利权)人: 安捷利电子科技(苏州)有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/46
代理公司: 广州市华创源专利事务所有限公司 44210 代理人: 夏屏
地址: 511458 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高密度 线路板 制造 工艺
【说明书】:

技术领域

本发明一种高密度线路板的制造工艺属于集成电路领域。

背景技术

目前电子产品朝着轻薄短小化的趋势发展,IC体积越来越小、功能越来越强、引脚数越来越多、信号传输速度越来越快,上述的性能必然要求:IC封装线路板具有超高的布线密度,和层间连接由空心过孔转变为实心盲孔填充式。

目前,多层高密度封装线路板主流工艺是半加成法。具体是:                                               外层主要采用的是RF4基材或日本味之素公司的专利产品ABF基材。FR4或ABF基材因其表面能进行化学镀铜金属化,产生超薄铜箔,在半加成法的工艺中能较易制造超密线路。(2)通过板面电镀铜方式实现层间实心盲孔填充连接。(3)贴干膜、图象转移和形成抗镀蚀层。(4)图形电镀铜形成线路。(5)退膜、差分蚀刻去底铜,得到导电线路。

传统工艺的不足是:(1)通过在RF4或ABF基材上化学镀铜,构造导电层,再进行图形电镀铜形成线路。化学铜层与RF4或ABF基材之间结合力一般较弱,在后续元器件贴装时需经过230~260℃焊接,此热冲击作用下,可能会发生铜层与RF4或ABF基材发生分离,降低产品的可靠性;(2)为了实现层间实心盲孔填充连接,传统工艺采用板面电镀铜形式实现,必然会板面铜层较厚,并孔径越小,面铜越厚,在最后的差分蚀刻去底铜时侧蚀过大,导致线路形成困难。(3)RF4或ABF基材制造多层高密度封装线路板最小厚度不小于200μm,不利于得到超薄的封装基板。

中国专利公开号:200910045924提出:先制备介质层(含绝缘材料和导电层),再将介质压合到已经制备好线路板上,然后对介质层上的导电层进行减薄处理,最后再通过半加成法工艺形成线路。

该工艺的不足是:(1)先将介质层压合到已经制备好线路板上,再减薄处理,由于已经制备好线路板已经形成导电线路,在压合过程产生“敷形效应”,将形成的导电线路图形传送给介质上的导电层,导致介质层上的导电层各处凹凸不平,减薄处理后导电层各处的厚度不均匀,最终引起差分蚀刻去导电底层时,各处导电底层不均匀,引起线路的开短路不良。

发明内容

本发明的目的在于避免现有技术中的不足之处, 克服多层高密度线路板主流工艺半加成法和已有技术存在的问题,实现积层法制造含层间叠孔结构多层高密度线路板,提供一种提高产品的可靠性,线路形成容易,有利于得到超薄的封装基板,导电层各处的厚度均匀的一种高密度线路板的制造工艺。

本发明的目的是通过以下措施来实现的, 一种高密度线路板的制造工艺采用通用的附树脂铜皮(RCC)基材,通过减薄铜工艺得到超薄铜层,再以层压方式将减薄铜后的附树脂铜皮(RCC)基材与已经制备好线路板压合,再通过减薄铜工艺得到超薄铜层,然后以UV-激光的形式形成通孔或盲孔,贴干膜、图象转移和形成抗镀蚀层,图形电镀铜形成线路和填孔,退膜、差分蚀刻去底铜,得到导电线路。

本发明的一种高密度线路板的制造工艺具体的步骤:

1、以市场上通用的附树脂铜皮(RCC)基材,采用化学腐蚀法减薄铜,将附树脂铜皮(RCC)基材上导电铜层减小到0.5μm~8μm;

2、将减铜后的附树脂铜皮(RCC)基材通过层压方式将附树脂铜皮(RCC)基材与已经制备好线路板压合,然后在附树脂铜皮(RCC)上成孔,成孔包括导通孔或盲孔;或先在附树脂铜皮(RCC)上制作导通孔,然后再将附树脂铜皮(RCC)与基板压合构成盲孔;

3、对孔壁进行清洗和导电化处理;

4、将减铜后的附树脂铜皮(RCC)基材上的铜层进行粗化处理,达到增强铜层与干膜之间的结合力;

5、贴感光干膜、图象转移和形成抗镀蚀层;

6、进行图形电镀铜,形成电镀填孔和形成导电线路;

7、退感光干膜;

8、差分蚀刻去底铜:通过去底铜药水将附树脂铜皮(RCC)基材上非线路地方的铜去掉,保留电镀形成的导电图形和线路;

9、每增加一层,需重复1~8,多层高密度线路板制造流程也称为积层法。

步聚所述的附树脂铜皮(RCC)基材,树脂厚度1μm~100μm,铜箔厚度9μm ~100μm;优选30μm厚树脂,树脂具有良好流动性;铜箔厚度9μm ~12μm,其中附树脂铜皮(RCC)基材中铜箔与树脂层通过的热压的形式结合,不同于现半加成法通过化学镀铜的形式在绝缘基材上形成导电层,有效避免铜层与绝缘基材结合力弱的问题。

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