[发明专利]一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法无效
| 申请号： | 201210277907.3 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102856188A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡金宝;王金延;刘洋;徐哲;王茂俊;于民;解冰;吴文刚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 湿法 腐蚀 方法 | ||
1.一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：
1）在氮化镓基器件表面淀积保护层：
2）在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻腐蚀图形；
3）刻蚀待腐蚀区域的保护层；
4）去除剩余光刻胶；
5）对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；
6）将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。
2.如权利要求1所述的氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其特征在于，所述氮化镓基器件包括AlGaN/GaN异质结器件、基于氮化镓材料特性的LED器件。
3.如权利要求1所述的氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其特征在于，所述淀积的方法包括：等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积、光学薄膜沉积。
4.如权利要求1所述的氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其特征在于，所述保护层为SiO2或SiN。
5.如权利要求1所述的氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其特征在于，采用RIE方法或BOE溶液浸泡处理方法进行所述刻蚀。
6.如权利要求1所述的氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其特征在于，通过氧化炉进行所述氧化处理。
7.如权利要求6所述的氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其特征在于，进行所述氧化处理的温度为600-900℃，时间为30min-10h。
8.如权利要求1所述的氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀性溶液为碱性溶液或酸性溶液。
9.如权利要求8所述的氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其特征在于：所述腐蚀性溶液为氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液，其质量浓度为15%-25%，温度为50℃-100℃，腐蚀时间为5-60分钟。
10.如权利要求8所述的氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀性溶液为下列酸性溶液中的一种：稀硝酸、稀盐酸、氢氟酸、稀硫酸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
