[发明专利]监测芯片内部电位的聚焦离子束方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路工艺方法，特别是涉及一种监测芯片内部电位的聚焦离子束方法。

背景技术

在新产品导入以及量产品失效调查中，经常需要设计聚焦离子束（FIB）方案监测芯片内部节点信号。尤其在新产品导入过程中，客户需要检查其设计哪里出了问题，从而进行改版，但是往往不会提前想到要设置一个探测节点。常规做法是用聚焦离子束（FIB）垫焊盘（pad），然后进行探针量测或者进行打线后再量测。而这两种方法均存在很大问题：

1、采用探针量测的缺点：铂金焊盘（pt pad）比较脆弱，不能进行多次扎针，可靠性不稳定；扎针量测只能在半导体参数测试仪（）等直流测试机台上进行，使用范围比较窄，不能进行多通道或者动态信号施加。

2、采用打线后量测的办法的缺点：铂金焊盘打线成功率非常低。只要一次没有打成功，这个样品就报废了。而制作一个有铂金焊盘的聚焦离子束（FIB）样品，需要大量的机时和铂金的耗材。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种监测芯片内部电位的聚焦离子束方法,能在现有调查中推进使用，可以小成本快速排除（debug）设计问题或者工艺问题。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种监测芯片内部电位的聚焦离子束方法，包括：

步骤1、对芯片做表面处理；

步骤2、用聚焦离子束暴露出需要做桥联的监测节点A；

步骤3、通过版图检查，找出距离所述监测节点A最近的不相关焊盘B点位置并将所述监测节点A和所述焊盘B进行桥联；

步骤4、实现所述监测节点A和所述焊盘B之间桥联以后，采用聚焦离子束切除焊盘B的负载，使所述焊盘B处于浮空状态；

步骤5、进行打线操作，把所述焊盘B引至封装端并连接到测试仪，进行动态信号或者多通道信号测量。

进一步的，步骤3中所述将所述监测节点A和所述焊盘B进行桥联，采用铂金属线条桥联。

进一步的，所述铂金属线条宽度为1-2微米，厚度为0.8-1微米。

进一步的，步骤5中所述把所述焊盘B引至封装端并连接到测试仪，为采用转接板连接到测试仪。

进一步的，步骤5中所述把所述焊盘B引至封装端并连接到测试仪，为采用直接连线到测试仪。

进一步的，步骤3中所述将所述监测节点A和所述焊盘B进行桥联，采用聚焦离子束机台束流生长铂金属进行桥联。

采用本发明方法，有益效果为：

1、采用本发明铂金焊盘不用进行多次扎针，可靠性稳定并且扎针量测不仅限在半导体参数测试仪等直流测试机台上进行，使用范围宽，可以进行多通道或者动态信号施加。

2、采用本发明铂金焊盘打线成功率高并且可以再现有调查中推进使用，可以可以小成本快速排除设计问题或者工艺问题。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:

图1是本发明监测节点示意图；

图2是本发明监测节点寻找最近不相关焊盘位置示意图；

图3是本发明监测节点最近不相关焊盘浮空状态示意图。

具体实施方式

为使贵审查员对本发明的目的、特征及功效能够有更进一步的了解与认识，以下兹请配合附图详述如后：

本发明方法步骤如下：

步骤1、对芯片做表面处理，去除聚酰亚胺（Polyimide）等会影响后续聚焦离子束（FIB）的表面物质。

步骤2、用FIB暴露出需要做桥联的监测节点，称为A点，如图1所示。

步骤3、通过版图检查，找出距离A点最近的不相关焊盘位置，如图2所示，其中焊盘B点位置最近。将A点及焊盘B点进行桥联；其中，可以采用FIB机台束流生长出宽度为1-2微米，厚度为0.8-1微米的铂金属线条，长度根据具体情况选定。采用这样范围的厚度及宽度，一方面不会耗费太长时间，另一方面足够保证高低起伏时不至于断线。

步骤4、实现A点和焊盘B点之间桥联以后，采用聚焦离子束（FIB）切除焊盘B点的负载（loading）使焊盘B处于浮空状态，如图3所示。此处所述的负载，包括电阻、对电源对地的保护管以及输入驱动等。

步骤5、进行打线（boding）操作，把焊盘B引至封装端，采用转接板或者直接连线等，连接到测试仪，进行动态信号或者多通道信号测量。

以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。