[发明专利]以碳化硅纳米线为气敏材料制备气体传感器的方法

权利要求书

1.一种以碳化硅纳米线为气敏材料制备气体传感器的方法，以纳米线为气敏材料，采化学还原或光还原法在纳米线的表面生成贵金属催化剂纳米粒子，然后将表面贵金属纳米粒子修饰的纳米线离心分离，并将其沉积混合物超声分散在乙醇中，然后将纳米线悬浮液滴在耐高温绝缘材料基底上，在纳米线的两端引入金属电极，并进行退火处理，然后在电极的两端引入导线，实现单根纳米线传感器的制备；其特征在于：所述的气敏材料为碳化硅纳米线。

2.根据权利要求1所述的一种以碳化硅纳米线为气敏材料制备气体传感器的方法，其特征在于：化学还原法在碳化硅纳米线表面生成Pt催化剂纳米粒子，将0.1克碳化硅纳米线超声分散在10 ml水中，然后将1 ml浓度为20-30 mmol/L的 K₂PtCl₄和2 ml 0.1-0.5 mol/L的抗坏血酸加入到悬浮液中，震荡混合后，将混合物置于80oC水浴锅中反应10-15小时，然后离心分离，将获得沉积混合物超声分散在10 ml乙醇中，获得表面沉积贵金属Pt的碳化硅纳米线。

3.根据权利要求1所述的一种以碳化硅纳米线为气敏材料制备气体传感器的方法，其特征在于：利用光还原法在碳化硅纳米线表面沉积贵金属Pd，将5 ml浓度为5-10 mmol/L的PdCl₂和20 ml浓度为1-2％的乙酸水溶液，移入到含有0.1克碳化硅纳米线的容器里，用超声波振荡10 min后，将混合液转移到石英反应器中；反应器密封后，用高纯氮吹扫20 min，将反应器内的氧除去．然后，将反应器用高压汞灯光照6 h，再经离心分离、浸洗和干燥步骤得到表面沉积贵金属Pd的碳化硅纳米线。

4.根据权利要求1所述的一种以碳化硅纳米线为气敏材料制备气体传感器的方法，其特征在于：利用光还原法在碳化硅纳米线表面沉积贵金属Ag，将5ml浓度为5-10 mmol/L的AgNO₃和20 ml浓度为1-2％的乙酸水溶液，移入到含有0.1克碳化硅纳米线的容器里，用超声波振荡10 min后，将混合液转移到石英反应器中；反应器密封后，用高纯氮吹扫20 min，将反应器内的氧除去．然后，将反应器用高压汞灯光照6 h，再经离心分离、浸洗和干燥等步骤便可以得到表面沉积贵金属Ag的碳化硅纳米线。

5.根据权利要求1所述的一种以碳化硅纳米线为气敏材料制备高温气体传感器的方法，其特征在于：所述的耐高温绝缘材料基底为以石英、氧化铝或玻璃耐高温绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的一种以碳化硅纳米线为气敏材料制备高温气体传感器的方法，其特征在于：所述采用的电极为金、银和铂金属。