[发明专利]存储器装置及其检测方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种检测方法，且特别是有关于一种存储器装置及其检测方法。

背景技术

闪存具有不需电源即可保存数据的特性，而且具有擦除与写入的功能，因此广泛的应用于各种电子产品上。传统的闪存可划分成许多存储区块，每个存储区块具有许多存储单元。每个存储单元是用以记录一个位的数据。存储单元具有控制栅极、浮接栅极、源极与漏极。存储单元的数据是以浮接栅极中所储存的电子量多寡而定。

当浮接栅极中储存高量的电子，此时门坎电压较高，需要给予控制栅极一个较高的电压，例如是大于6伏特，才能使此存储单元的源极与漏极导通，一般定义此时存储单元的数据为0且为编程状态。

当浮接栅极中储存低量的电子，此时门坎电压较低，只需要给予控制栅极一个较低的电压，例如是小于4伏特，即可使此存储单元的源极与漏极导通，一般定义此时存储单元的数据为1。

然而，当系统不正常操作或某个存储单元存在缺陷时，容易产生过度擦除(over erased)现象，此时门坎电压小于零，即使未给予控制栅极一个正电压，存储单元的源极与漏极仍处于导通状态，进而导致漏电流的产生。因此，造成在读取其他已编程的存储单元时，将该存储单元误判为擦除状态，有待进一步改善。

发明内容

本发明是有关于一种存储器装置及其检测方法，可避免读取数据时，因存储单元产生漏电流而导致读取失效或误判断。

根据本发明的一方面，提出一种存储器装置的检测方法。存储器装置包括多个存储单元以及分别连接该多个存储单元的栅极与漏极的多条第一传导线与第二传导线。此检测方法包括：在一读取程序期间，提供一正电压至该多个第一传导线之一，以选择开启该多个存储单元之一，并提供一负电压至其余该多个第一传导线，以关闭未选择开启的其余该多个存储单元。

根据本发明的另一方面，提出一种存储器装置，包括一存储器阵列以及一电路。存储器阵列包括多个存储单元以及分别连接该多个存储单元的栅极与漏极的多条第一传导线与第二传导线。此电路在一读取程序期间，施加一正电压至该多个第一传导线之一，以选择开启该多个存储单元之一，并施加一负电压至其余该多个第一传导线，以关闭未选择开启的其余该多个存储单元。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的存储器装置的方块图。

图2绘示依照本发明一实施例的存储器阵列的示意图。

图3绘示依照本发明一实施例的存储器装置的检测方法的示意图。

图4绘示依照本发明一实施例的存储器装置的检测方法的示意图。

图5绘示依照本发明另一实施例的存储器装置的检测方法的示意图。

【主要元件符号说明】

100：存储器装置

102：存储器阵列

104：字线(WL)译码器

106：位线(BL)译码器

108：逻辑电路

110：正电压源

112：负电压源

114：检测电路

120～123：存储单元

具体实施方式

本实施例的存储器装置及其检测方法，是通过提供一正电压至选择开启的一存储单元，并提供一负电压至未选择开启的其余存储单元，以避免未选择开启的存储单元因漏电流产生而影响判断选择开启的存储单元的状态。本实施例的存储器装置可为非易失性存储器装置，例如闪存，能在没有外部电源的情况下保存存储单元内储存的电子。上述主要型式的闪存为NOR闪存及NAND闪存。NOR闪存是一种具备就地执行(Execution in Place，XIP)功能的存储器，不仅支持开机且储存于其中的程序代码可直接执行而无需先加载到其他存储器中。

上述的存储器装置主要包括一存储器阵列，而存储器阵列包括多个浮动栅极晶体管(即存储单元)、多个连接至浮动栅极晶体管的漏极的位线(BL)以及多个连接至浮动栅极晶体管的栅极的字线(WL)。在读取程序期间，依序提供一正电压至选择开启的存储单元，以读取各位线的电流电平，并判断位线是否有漏电流产生，若系统侦测到漏电流产生于非选择开启的存储单元时，则提供一负电压至未选择开启的存储单元的栅极，以关闭未选择开启的存储单元。因此，可避免未选择开启的存储单元因漏电流产生而影响判断选择开启的存储单元的状态。

以下是提出各种实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并非用以限缩本发明欲保护的范围。