[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片有效
| 申请号： | 201210096232.2 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102776555A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 何亮;胡动力;张涛;雷琦;万跃鹏 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 及其 制备 方法 硅片 | ||
1.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：
在坩埚内壁涂上氮化硅层后，在所述坩埚内从下至上填装硅料；
加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，当所述硅熔体与未熔化的所述硅料所形成的固液界面接近坩埚底面时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在不完全熔化的硅料基础上开始长晶；
待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
2.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述填装硅料时，先在所述坩埚底部铺设一层硅碎料，所述硅碎料为单晶硅碎料、多晶硅碎料和非晶体硅碎料中的一种或几种。
3.如权利要求2所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，当所述硅熔体与未熔化的所述硅料所形成的固液界面刚好处在硅碎料层或深入硅碎料层时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在不完全熔化的硅料基础上开始长晶。
4.如权利要求2所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述硅碎料的尺寸大小为0.1μm～10cm，所述硅碎料铺设厚度为0.5cm～5cm。
5.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，在所述硅料与所述坩埚的底部之间铺垫一层导热块。
6.如权利要求5所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述导热块为硅块或石墨块。
7.如权利要求5所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述导热块的铺设厚度为1cm～2cm。
8.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，在所述硅料的熔化阶段，每隔0.2～1h，探测一次所述硅熔体与未熔化的所述硅料所形成的固液界面的位置。
9.一种多晶硅锭，其特征在于，所述多晶硅锭按照如权利要求1～8任一项所述的制备方法制得。
10.一种多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片以权利要求9所述的多晶硅锭为原料经开方-切片-清洗制备得到。
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