[发明专利]检测版图结构及检测方法有效
申请号: | 201210091973.1 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN103367323A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 王贵明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 版图 结构 方法 | ||
1.一种检测版图结构,与晶圆上待检测的金属互连线相适配,其特征在于,包括:多个横向图形、多个纵向图形、多个通孔线以及接触焊盘;
所述横向图形形成于所述纵向图形所在图形层上的图形层中,所述通孔线形成于所述横向图形和所述纵向图形之间,所述横向图形通过通孔线与纵向图形对应相连,形成多个45度走向的阶梯型链,多个所述阶梯型链在所述检测版图结构的边缘处通过横向图形或纵向图形串联连接,并通过最外围的阶梯型链与接触焊盘的连接引出;其中
除位于所述检测版图结构最外围的阶梯型链外,每一阶梯型链具有两个相邻的阶梯型链,其中一相邻的阶梯型链的横向图形与该当前阶梯型链中的对应横向图形形成头头相对结构,另一相邻的阶梯型链的横向图形与当前阶梯型链中的对应横向图形形成平行相错结构。
2.如权利要求1所述的检测版图结构,其特征在于,所述检测版图结构与所述晶圆上待检测的金属互连线的金属引线的尺寸和数量、金属通孔的尺寸和数量相同。
3.如权利要求2所述的检测版图结构,其特征在于,所述检测版图结构中头头相对结构的数量、所述平行相错的结构数量与所述晶圆上待检测的金属互连线中的头头相对结构的数量、所述平行相错结构的数量相等。
4.如权利要求1所述的检测版图结构,其特征在于,所述头头相对结构中两相邻的横向图形之间的距离为0.05μm~0.15μm。
5.如权利要求4所述的检测版图结构,其特征在于,所述头头相对结构中两相邻的横向图形之间的距离为0.10μm。
6.如权利要求1所述的检测版图结构,其特征在于,所述平行相错结构中两相邻的横向图形之间的距离为0.05μm~0.15μm。
7.如权利要求6所述的检测版图结构,其特征在于,所述平行相错结构中两相邻的横向图形之间的距离为0.10μm。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的检测版图结构,其特征在于,所述横向图形的宽度为0.08μm~0.18μm,所述通孔线的截面宽度为0.07μm~0.11μm,相邻的通孔线之间的最小距离为0.08μm~0.18μm。
9.如权利要求8所述的检测版图结构,其特征在于,所述横向图形的宽度为0.13μm,所述通孔线的截面宽度为0.09μm,所述相邻的两通孔线之间的最小距离为0.13μm。
10.一种检测方法,包括:
在晶圆上设定测试区域;
在所述晶圆上形成多层金属互连层,在形成其中一层或多层待检测的金属互连层时,同时对应在所述测试区域上形成一个或多个如权利要求1至9中任意一项所述检测版图结构,并理论确定所述检测版图结构的标准阻值范围;
测定所述检测版图结构的实际阻值,若实际阻值在所述标准阻值的范围内,则判定所述待检测的金属互连层符合工艺要求,否则判定所述待检测的金属互连层不符合工艺要求。
11.如权利要求10所述的检测方法,其特征在于,所述测试区域位于所述晶圆的切割道中。
12.如权利要求10所述的检测方法,其特征在于,所述待检测的金属互连层为多层,所述检测版图结构具有与各个待检测的金属互连层相对应的多个。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210091973.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:银纳米掺杂的碲酸盐玻璃及其制备方法
- 下一篇:具有稳焰功能的少油点火装置