[发明专利]微加热装置及形成方法

权利要求书

1.一种微加热装置，其特征在于，包括

待测MOS器件，所述待测MOS器件包括位于半导体衬底上的栅极，以及位于半导体衬底上与待测MOS器件栅极相邻设置的伪栅；

位于所述半导体衬底上覆盖所述伪栅以及待测MOS器件栅极的第一介质层；

位于所述第一介质层上的第二介质层，贯穿所述第二介质层且与栅极连接的第一插塞，贯穿所述第二介质层且与伪栅连接的第二插塞，以及贯穿所述第一介质层和第二介质层且与待测MOS器件源极及漏极连接的第三插塞，所述第三插塞的位置与伪栅的位置不重合；

位于所述第二介质层上且与第一插塞连接的感测节点，以及位于所述第二介质层上且与第二插塞连接的金属导线，金属导线通过第二插塞与伪栅连接；

其中，金属导线与测试电源连接，利用所述伪栅对待测MOS器件加热。

2.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述栅极或伪栅的材质为多晶硅。

3.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述微加热装置中伪栅个数为2的整数倍。

4.如权利要求3所述的微加热装置，其特征在于，所述伪栅对称设置于栅极的两侧。

5.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述伪栅的延伸方向与待测MOS器件栅极延伸方向平行。

6.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述第一介质层或第二介质层的材质为氧化硅或低K材料。

7.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述金属导线的材质为铝或铜。

8.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述第一插塞、第二插塞或第三插塞的材质为钨或铜。

9.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，还包括加载节点，与所述金属导线连接，所述金属导线通过加载节点与测试电源连接。

10.如权利要求9所述的微加热装置，其特征在于，所述加载节点的材质为铝或铜。

11.一种微加热装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成待测MOS器件的栅极以及与栅极相邻设置的伪栅；

以所述栅极为掩模在栅极两侧的半导体衬底内形成待测MOS器件的源极及漏区，并形成覆盖所述栅极和伪栅的第一介质层以及覆盖所述第一介质层的第二介质层；

形成贯穿所述第二介质层且与栅极连接的第一插塞以及贯穿所述第二介质层且与伪栅连接的第二插塞，形成贯穿所述第一介质层和第二介质层且与待测MOS器件的源极及漏区连接的第三插塞，所述第三插塞的位置与伪栅的位置不重合；

在所述第二介质层上形成与第一插塞连接的感测节点以及与第二插塞连接的金属导线，所述金属导线通过第二插塞与伪栅连接。

12.如权利要求11所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述栅极和伪栅的材质为多晶硅。

13.如权利要求11所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述伪栅的个数为2的整数倍。

14.如权利要求13所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述伪栅对称设置于栅极的两侧。

15.如权利要求11所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述伪栅的延伸方向与待测MOS器件的栅极延伸方向平行。

16.如权利要求11所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述第一介质层或第二介质层的材质为氧化硅或低K材料。

17.如权利要求11所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述金属导线的材质为铝或铜。

18.如权利要求11所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，所述第一插塞、第二插塞或第三插塞的材质为钨或铜。

19.如权利要求11所述的微加热装置的形成方法，其特征在于，在所述第二介质层上形成与第一插塞连接的感测节点以及与第二插塞连接的金属导线后，还包括形成与所述金属导线连接的加载节点，所述金属导线通过加载节点与测试电源连接。

20.如权利要求19所述的微加热装置，其特征在于，所述加载节点的材质为铝或铜。