[发明专利]一种红外探测器封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210087021.2 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN103359677A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 姚金才;刘海强;王韬;陈宇 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00;G01J5/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 红外探测器 封装 结构 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明属于红外探测技术领域,尤其涉及一种红外探测器封装结构及其制作方法。

背景技术

微机电系统(Micro Electro-Mechanical Systems,MEMS)技术具有体积小、智能化、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点,已开始广泛应用在包括红外探测技术领域的诸多领域。红外探测器是红外探测技术领域中应用非常广泛的一种MEMS产品,它利用敏感材料探测层吸收红外线并将其转化成电信号,据此来实现热成像功能,其可用于入侵探测系统、火警警报以及汽车电子等场所。

前述红外探测器早期的封装技术大多数是借用半导体集成芯片领域中现有的封装工艺,在MEMS产品中,由于各类产品的使用范围和应用环境的差异,其封装也没有一个统一的形式,一般根据具体的使用情况选择适当的封装。同时,在MEMS产品的制造过程中,封装只能单个进行而不能大批量同时生产,因此封装在MEMS产品中的总费用占据70%-80%,因而封装技术已成为MEMS产品生产中的瓶颈。现有技术中的MEMS封装技术大都是由集成电路封装技术发展和演变而来,但是,由于其应用环境的复杂性,因而与集成电路封装技术相比又有很大的特殊性,不能简单将集成电路封装技术直接应用于MEMS器件的封装。

本发明的发明研究发现,如何提供一种红外探测器封装技术,以便能够大批量地与红外探测器单元同时生产,降低成本,并且大幅度提高产品成品率和可靠性,已成为业界亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种红外探测器封装结构及其制作方法,可以在红外探测器生产的同时能够进行大批量象元级封装,能够避免与外界环境污染,降低生产成本,提高产品成品率和可靠性。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的:

一种红外探测器封装结构的制作方法,该制作方法包括以下步骤:

S1、在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极;

S2、在所述红外光反射层和底接触电极上沉积探测器第一牺牲层,所述探测器第一牺牲层与衬底接触并全面覆盖红外光反射层,并将底接触电极上对应的部分探测器第一牺牲层形成第一孔洞;

S3、在所述探测器第一牺牲层上部分形成敏感材料探测层,所述敏感材料探测层上设有第一间隙,与探测器第一牺牲层上第一孔洞对应处设有第二孔洞;

S4、在所述敏感材料探测层上形成金属电极层,所述金属电极层上设有与敏感材料探测层上第二孔洞处对应的第三孔洞,与第一间隙对应的第二间隙,以及用于透过红外光让敏感材料探测层吸收的中间间隙;

S5、在所述金属电极层的第三孔洞处形成金属桥柱,所述金属桥柱与底接触电极接触;

S6、在所述探测器第一牺牲层、金属电极层和金属桥柱上形成探测器第二牺牲层,所述探测器第二牺牲层全部覆盖探测器第一牺牲层、金属电极层和金属桥柱;

S7、在所述探测器第二牺牲层的四周边缘形成吸气剂层;

S8、在所述吸气剂层上形成第一封装薄膜层,所述第一封装薄膜层上设有释放孔和缺口,所述第一封装薄膜层覆盖吸气剂层和探测器第二牺牲层后,其释放孔与探测器第二牺牲层覆盖的金属桥柱对应,所述缺口使探测器第二牺牲层四周边缘有部分露出;

S9、通过所述敏感材料探测层上设置的第一间隙、金属电极层上设置的第二间隙以及第一封装薄膜层上设置的释放孔和缺口,使所述探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层分别与氧等离子体反应,实现对探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层的释放,由此形成所述第一空间层和第二空间层;

S10、在所述第一封装薄膜层上形成第二封装薄膜层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210087021.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top