[发明专利]蒸镀用舟皿和使用该蒸镀用舟皿的成膜方法有效
申请号: | 201210073590.1 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102677000A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 竹泽昌宏;山本昌裕;上口洋辉;大岛章义 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘佳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蒸镀用 舟皿 使用 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种加热薄膜材料以使其蒸发的蒸镀用舟皿。
背景技术
作为在基板上形成薄膜的代表性方法,有真空蒸镀法。
在上述方法中,通过使覆盖室内处于真空状态,并在内部使成膜材料高温蒸发,从而在设于覆盖室上部的基板上形成薄膜。成膜后的基板表现出该膜的特性,从而可利用在包括半导体在内的各种高性能设备中。
在真空蒸镀装置的加热装置(蒸发源)中,使用通过电阻加热法、电冲击法、高频感应加热法进行加热的装置,但简便的电阻加热法的普遍性高。
此外,电阻加热用蒸发源按其形状可分为螺旋型、舟皿型、箱型、坩锅型等。其中,舟皿型蒸发源的蒸镀用舟皿的形状具有如下优点:将收容薄膜材料的有底孔设置在表面侧的厚板状的蒸镀用舟皿很常见,因而不必选择薄膜材料的形状就能满足。
此外,蒸镀用舟皿采用高熔点金属及其合金或是石墨或陶瓷等,因而,蒸发源材料表面会被热分解氮化硼(PBN)或氮化硼(BN)进一步覆盖。
图12是配置在真空蒸镀装置(未图示)中的蒸镀用舟皿的设置例。
在覆有PBN的石墨制蒸镀用舟皿1a的表面中央形成有池2作为有底孔。在蒸镀用舟皿的两端3a、3b连接有用于通电加热的一对电极4a、4b。图13(a)表示蒸镀用舟皿1a的俯视图,图13(b)表示剖视图。
从材料线材导向件5对上述蒸镀用舟皿1a的池2供给作为薄膜材料的材料线材6。材料线材6被卷绕在卷盘7上,并在送出辊8的旋转下沿着线材导向件5陆续伸出,材料线材6的前端到达卷盘2。此时,蒸镀用舟皿1a作为以电极4a、4b通电的方式加热的复合加热器,由此来对池2内的材料进行加热。通过将陆续伸出的材料线材6的前端在池2中加热至规定蒸汽压下的熔点以上,从而连续供给的材料线材6会以熔融状态收容在池2中。接着,此时继续进行以蒸镀用舟皿1a的上方为蒸发方向的蒸发。
由于在上述真空蒸镀工艺中产生的膜与设备的性能直接相关,因此,为了提高生产率及成品率,重要的是如何有效地产生均匀的膜,为此,特别要求向蒸镀用舟皿稳定地供给蒸发粒子。
在采用这种蒸镀用舟皿1a的情况下,材料供给部9a与材料蒸发部10之间几乎没有温差,因而,材料供给部9a的温度过度上升。藉此,存在如下问题:从材料线材导向件5送出的材料线材6在空中熔解,熔解的材料线材6滴在蒸镀用舟皿1a上所产生的飞沫会对均匀成膜造成影响。
作为解决这个问题的方法,在专利文献1中记载有图14(a)、图14(b)的蒸镀用舟皿1b。在上述蒸镀用舟皿1b中,为了降低对材料线材6的辐射热来抑制材料从空中滴下,与池2相邻地形成有空孔11a、11b。但是,这种结构并没有改变作为造成飞沫产生的本质问题的来自材料供给部9a的热量,因而不能得到很大的效果。
此外,在专利文献2中记载有图15(a)、图15(b)所示的蒸镀用舟皿1c。在上述蒸镀用舟皿1c中,在池2的中央区域形成加热面12,该加热面12的截面积比与电能源相连的蒸镀用舟皿1c的两端部3a、3b的截面积大,且上述加热面12突出得比池12的底部高。待熔融的材料线材6在蒸镀用舟皿1c的中央区域被供给至加热面12,材料线材6的端部因加热面12发热而被熔融,从而流入至加热面12两侧的池2。也就是说,加热面12因具有比较大的横截面而使电阻比其它区域的电阻小。其结果是,蒸镀用舟皿的线材供给区域不会比其它区域更热,藉此,能避免材料线材6的前端很早就熔融,进而能避免熔解的材料线材6的飞沫。
专利文献1:日本专利特开2005-194539号公报
专利文献2:日本专利特开2003-213403号公报
然而,在专利文献2的结构中,虽然能防止飞沫形成,但是由于加热面12形成在池2的中央区域,使得材料蒸发区域被加热面12一分为二,因而可能出现成膜不均。此外,还出现加热面12周边的温度降低、材料蒸发区域缩小这样的新技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种材料蒸发区域不会缩小、且能避免因材料线材在空中熔解而导致飞沫产生的蒸镀用舟皿。
本发明的蒸镀用舟皿在舟皿主体形成有池,其中,上述池具有使供给来的薄膜材料熔融的材料供给部和供熔融后的薄膜材料从上述材料供给部流入的材料蒸发部,通过对上述舟皿主体的一端与另一端之间通电来将上述材料蒸发部的薄膜材料加热至其蒸发温度以上,其特征是,在上述池的上述材料供给部的背面或是侧面形成截面积比上述材料蒸发部的截面积大的突起部。
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