[发明专利]应用于半导体存储装置的逆止阀无效
申请号: | 201210061750.0 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN103311163A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 吕保仪;锺承恩 | 申请(专利权)人: | 家登精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;F16K15/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 半导体 存储 装置 逆止阀 | ||
技术领域
本发明是有关于一种半导体存储设备,特别是有关于一种配置于半导体存储设备中的逆止阀;其中,半导体存储设备可以是掩膜盒或是晶圆盒。
背景技术
近代半导体科技发展迅速,其中光学光刻技术(Optical Lithography)扮演重要的角色,只要是关于图形(pattern)定义,皆需仰赖光学光刻技术。光学光刻技术在半导体的应用上,是将设计好的线路制作成具有特定形状可透光的掩膜(photo mask)。利用曝光原理,则光源通过掩膜投影至硅晶圆(silicon wafer)可曝光显示特定图案。由于任何附着于掩膜上的尘埃颗粒(如微粒、粉尘或有机物)都会造成投影成像的质量劣化,用于产生图形的掩膜必须保持绝对洁净,而被投射的硅晶圆或者其他半导体投射体亦必须保持绝对清静,因此在一般的晶圆工艺中,都提供无尘室(clean room)的环境以避免空气中的颗粒污染。然而,目前的无尘室也无法达到绝对无尘状态。
因此,现代的半导体工艺皆利用抗污染的存储设备进行掩膜及晶圆的保存与运输,以使掩膜及晶圆保持洁净;也利用抗污染的半导体元件存储设备进行半导体元件的保存与运输,以使半导体元件保持洁净。
半导体元件存储设备是在半导体工艺中用于存放半导体元件,以利半导体元件在机台之间的搬运与传送,并隔绝半导体元件与大气的接触,避免半导体元件被杂质污染而产生变化。因此,在先进的半导体元件厂中,通常会要求掩膜存储设备与半导体元件存储设备的洁净度要符合机械标准接口(Standard Mechanical Interface;SMIF),也就是说保持洁净度在Class 1以下。故,在掩膜存储设备与半导体元件存储设备中充入气体便是目前解决的手段之一。
一般会经由逆止阀来对存储设备进行充气及抽气的动作,如图1所示,阀体通常具有一阀体a配置于阀体收纳筒b内,一压扣c,一弹性结构d夹于阀体a及弹性结构d之间,及一滤器e,配置于压扣c后方;当要对逆止阀充气时,会按压阀体a,使阀体a脱离阀体收纳筒b形成一通道,气体便经由通道通过阀体收纳筒b,在经由压扣c及后方的滤器e进入存储设备内;而当停止充气时,停止按压阀体a,通过弹性结构d将阀体a弹回阀体收纳筒b,以形成封闭状态。
然而,经由阀体a多次的运作后,会与逆止阀多个元件产生多次摩擦,因此容易产生许多的微粒(Particle),而微粒便会污染存放于存储设备内的掩膜及晶圆,会使得掩膜或晶圆遭受到污染,导致无法再使用而必须报废的窘境,使得制造成本增加。因此提供一个不会产生污染物的充气设备,是一个重要的议题。
有鉴于此,本发明所提供掩膜存储设备与晶圆存储设备的逆止阀,乃针对先前技术加以改良。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的一主要目的在于提供一种逆止阀配置于晶圆盒内,通过具有弹性的单一元件本身的开合,防止过多微粒产生,以避免污染晶圆盒内的晶圆。
依据上述目的,本发明提供一种晶圆盒,主要包括一盒体,在盒体的一侧面是形成一开口,及一门体,门体是与开口相结合,并形成一容置空间,提供晶圆放置,其中晶圆盒的特征在于:在盒体内配置至少一对逆止阀,每一逆止阀包括一圆形柱及一逆止件,圆形柱为一中空柱体,并将逆止件嵌置在圆形柱内,其中逆止件包括:一圆形穹顶体,具有一隆起顶端及一圆形底端;一圆环,形成并环绕于圆形底端;及至少一条切割线,由隆起顶端的中央处往圆形底端延伸。
本发明的另一主要目的在于提供一种逆止阀配置于掩膜盒内,通过单一元件本身的开合,防止过多微粒产生,以避免污染掩膜盒内的掩膜。
依据上述目的,本发明提供一种掩膜盒,主要包括一上盖及一下盖,上盖是与下盖相结合,并形成一容置空间,提供掩膜放置,其中掩膜盒的特征在于:在掩膜盒内配置至少一对逆止阀,每一逆止阀包括一圆形柱及一逆止件,圆形柱为一中空柱体,并将逆止件嵌置在圆形柱内,其中逆止件包括:一圆形穹顶体,具有一隆起顶端及一圆形底端;一圆环,形成并环绕于圆形底端;及至少一条切割线,由隆起顶端的中央处往圆形底端延伸。
经由本发明所提供的设计,使晶圆盒及掩膜盒在进行充气及抽气的动作时,可防止过多微粒产生,以避免污染存储设备内的半导体元件。
附图说明
为能更清楚地说明本发明,以下列举较佳实施例并配合附图详细说明如后,其中:
图1是为已知逆止阀示意图;
图2是为本发明的逆止阀示意图;
图3A是为本发明的逆止件充气示意图;
图3B是为本发明的逆止件停止充气示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于家登精密工业股份有限公司,未经家登精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210061750.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造