[发明专利]一种带隙基准电压源

权利要求书

1.一种带隙基准电压源，其特征在于，包括启动电路、核心带隙基准电路和高阶补偿电路，其中，

核心带隙基准电路包括：PMOS管M1、M2、M3，NPN三极管Q1、Q2，以及电阻单元R1、RB1、RB2、RA；

高阶补偿电路包括：PMOS管M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11，NPN三极管Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8，以及电阻单元R2、R3；

具体连接关系如下：PMOS管M1、M2的源极接外部电源，PMOS管M1的栅极与漏极都连接到PMOS管M2管的栅极以及三极管Q1的集电极并且连接到高阶补偿电路PMOS管M9的栅极，M2管的漏极连接到M3管的栅极并且连接到三极管Q2的集电极，以及启动电路的输出端，M3管的漏极作为核心带隙基准电路的输出端连接到三极管Q1、Q2的基极，并且连接到启动电路的输入端，Q1的发射极连接到电阻单元RB1的一端与电阻单元RA一端，Q2的发射极连接到电阻单元RA的另一端，RB1的另一端连接到RB2一端，以及高阶补偿电路的PMOS管M7、M11管的漏极，RB2的另一端接地电位；

PMOS管M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11的源极接外部电源，PMOS管M4的漏极连接到三极管Q3的集电极与基极，并且连接到三极管Q4的基极，PMOS管M5的漏极与栅极同时连接到了三极管Q6的集电极，三极管Q6的基极与PMOS管M6的栅极与漏极连接，并且与PMOS管M7、M8的栅极连接，三极管Q6的发射极与三极管Q4的发射极连接，三极管Q3的集电极与Q5的集电极和基极相连，三极管Q5的集电极接地电位，三极管Q4的集电极与电阻单元R2的一端相连，电阻单元R2的另一端接地电位；PMOS管M8的漏极与PMOS管M10的栅极和漏极相连，并且连接到三极管Q8的集电极，PMOS管M9管的漏极与三极管Q7的集电极与基极连接，并且与三极管Q8的基极连接，三极管Q7的发射极接地电位，三极管Q8的发射极与电阻单元R3的一段相连，电阻单元R3的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述的启动电路包括：PMOS管MS1、MS2，NMOS管MS，其中，PMOS管MS1的源极接外部电源，MS1的栅极作为启动电路的输入端连接NMOS管MS2的栅极，MS1的漏极连接到了MS2的漏极，并且连接到了MS管的栅极，MS管的漏极作为启动电路的输出端，MS管与MS2管的源极均接地电位。