[发明专利]用于芯片级封装的凸块有效
| 申请号： | 201210041605.6 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103107152A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 林俊宏;陈玉芬;林宗澍;普翰屏;陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 芯片级 封装 | ||
1.一个器件包括：
半导体管芯；
具有第一直径的第一凸块，所述第一凸块在所述半导体管芯上的第一区域上；以及
具有第二直径的第二凸块，所述第二凸块在所述半导体管芯上的第二区域上，其中所述第二直径不同于所述第一直径。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一直径大于所述第二直径。
3.根据权利要求1所述的器件，其中：
所述第一区域是所述半导体管芯的内部区域；以及
所述第二区域是所述半导体管芯的外部区域。
4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述外部区域的宽度大约等于或小于所述内部区域的宽度的三分之一。
5.根据权利要求4所述的器件，其中；
所述第一区域是所述半导体管芯的内部区域；以及
所述第二区域是所述半导体管芯的角部。
6.根据权利要求1所述的器件，其中：
所述第一凸块形成在所述第一凸块下金属结构上；以及
所述第二凸块形成在所述第二凸块下金属结构上，其中所述第一凸块下金属结构不同于所述第二凸块下金属结构。
7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述第二凸块下金属结构的直径大于第一凸块下金属结构的直径。
8.一个器件包括：
半导体管芯；
具有第一直径和第一高度的第一凸块，所述第一凸块在邻近所述半导体管芯的边缘处形成；以及
具有第二直径和第二高度的第二凸块，所述第二凸块在不邻近所述半导体管芯的边缘处形成，其中所述第二凸块不同于所述第一凸块。
9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一直径大于所述第二直径。
10.一种结构包括：
半导体管芯；
具有第一直径的第一凸块下金属结构，所述第一凸块下金属结构形成在所述半导体管芯的外部区域上；以及
具有第二直径的第二凸块下金属结构，所述第二凸块下金属结构形成在所述半导体管芯的内部区域上，其中所述第一凸块下金属结构不同于所述第二凸块下金属结构。
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