[发明专利]60伏高压LDPMOS结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体来说，本发明涉及一种60伏高压LDPMOS结构及其制造方法。

背景技术

60V高压(栅极与漏端工作电压均是60V)BCD中栅极驱动器(Gate driver)驱动器件及其模块广泛应用于PDP驱动、LCD驱动、OLED驱动、马达驱动、汽车电子等领域，是近年来的热门研究领域。

高压PMOS在高压驱动电路中是个十分关键的器件。BCD工艺集成的器件比较多，应用起来方便灵活，但如何减少工艺层次与工艺步骤又能达到技术指标与要求从而降低成本，也是当前BCD技术研究的重要内容。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种60伏高压LDPMOS结构及其制造方法，简化该高压LDPMOS的结构、工艺层次与工艺步骤，且与0.35μm CMOS工艺完全兼容。

为解决上述技术问题，本发明提供一种60伏高压LDPMOS结构的制造方法，包括步骤：

提供P型硅衬底，其上形成有N型埋层，在所述P型硅衬底上热生长P型外延层，作为所述高压LDPMOS结构的漏端漂移区；

在所述P型外延层(203)中高能注入N型杂质，并经高温扩散形成低浓度的高压N阱，所述高压N阱与所述N型埋层相接并共同形成所述高压LDPMOS结构的高压隔离区；

依照标准CMOS工艺，在所述P型外延层上进行局部氧化工艺，制作器件/电路部分的多个场氧化隔离；

通过离子注入法在所述P型外延层中掺杂形成低压N阱，所述低压N阱的左侧部分位于一场氧化隔离的下方并与所述高压N阱部分重叠，作为所述高压LDPMOS结构的沟道区；

在所述P型外延层上形成所述高压LDPMOS结构的栅极氧化层，所述栅极氧化层部分覆盖所述低压N阱区域；

在所述栅极氧化层上热生长多晶硅栅并形成多晶栅极，同时在所述高压LDPMOS结构的漏区形成多晶栅场板；

依照标准CMOS工艺，以所述多晶栅极为对准层，在所述高压LDPMOS结构的源区以及漏区依次图形曝光，分别形成源极、漏极、衬底引出端和N阱引出端。

可选地，形成所述源极、漏极、衬底引出端和N阱引出端之后还包括步骤：

对所述高压LDPMOS结构进行快速热处理过程，降低接触电阻。

可选地，对所述高压LDPMOS结构进行快速热处理过程之后还包括步骤：

对所述高压LDPMOS结构进行接触工艺并形成后段工艺。

可选地，所述接触工艺包括在所述源极、漏极、衬底引出端和N阱引出端上形成钛硅化物或者钴硅化物接触。

可选地，所述N型杂质包括磷。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种60伏高压LDPMOS结构，包括：

N型埋层，位于P型硅衬底中，所述P型硅衬底上形成有P型外延层，作为所述高压LDPMOS结构的漏端漂移区；

低浓度的高压N阱，位于所述N型埋层之上、所述P型外延层之中，所述高压N阱与所述N型埋层相接并共同形成所述高压LDPMOS结构的高压隔离区；

多个场氧化隔离，分布于所述P型外延层的表面，作为器件/电路部分的隔离；

低压N阱，位于所述P型外延层之中，所述低压N阱的左侧部分位于一场氧化隔离的下方并与所述高压N阱部分重叠，作为所述高压LDPMOS结构的沟道区；

栅极氧化层，位于所述P型外延层上，所述栅极氧化层部分覆盖所述低压N阱区域；

多晶栅极，位于所述栅极氧化层上，同时在所述高压LDPMOS结构的漏区具有多晶栅场板；

源极、漏极、衬底引出端和N阱引出端，分布在所述P型外延层的表面，所述源极位于所述低压N阱中，所述漏极位于所述高压隔离区中，所述N阱引出端位于所述高压N阱中，所述衬底引出端位于所述高压隔离区的外侧。

可选地，所述源极、漏极、衬底引出端和N阱引出端上包括钛硅化物或者钴硅化物接触。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：